微電子工藝答案,整理好的了

1、1.1.保護(hù)器件避免劃傷和沾污2.限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）3.柵氧或存儲單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料4.摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)6.減少表面懸掛鍵2.化學(xué)反應(yīng)：Si2H2OSiO22H2水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因?yàn)樗魵獗妊鯕庠诙趸柚袛U(kuò)散更快、溶解度更高3.、1.干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好2、水汽氧化：SiH2OSiO2（固）H2(氣)氧化速度

2、快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差3、濕氧：氧氣攜帶水汽，故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間4.摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣5.界面陷阱電荷、可移動氧化物電荷6.工藝腔、硅片傳輸系統(tǒng)、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)4.工藝腔是對硅片加熱的場所，由垂直的石英罩鐘、多區(qū)加熱電阻絲和加熱管套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動機(jī)械在片架臺、爐臺、裝片臺、冷卻臺之間移動氣體分配系統(tǒng)

3、通過將正確ILD－1：隔離晶體管和互連金屬層；隔離晶體管和表面雜質(zhì)。采用低k介質(zhì)作為層間介質(zhì)，以減小時間延遲，增加速度。4.答：膜淀積技術(shù)分類化學(xué)方法（1）CVDa.APCVD(AtmospherePressureChemicalVapDeposition)b.LPCVDc.等離子體輔助CVD：HDPCVD(HighDensityPlasmaCVD)、PECVD(PlasmaenhancedCVD)d.VPE和金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積(2)

4、電鍍：電化學(xué)淀積（ECD）、化學(xué)鍍層物理方法：（1）PVD（2）蒸發(fā)(含MBE)（3）旋涂(SOGSOD)5.答：1)質(zhì)量傳輸2)薄膜先驅(qū)物反應(yīng)3)氣體分子擴(kuò)散4)先驅(qū)物吸附5)先驅(qū)物擴(kuò)散進(jìn)襯底6)表面反應(yīng)7)副產(chǎn)物解吸8)副產(chǎn)物去除6.答：（1）低k介質(zhì)須具備低泄漏電流、低吸水性、低應(yīng)力、高附著力、高硬度、高穩(wěn)定性、好的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐酸堿以及低接觸電阻。研究較多的幾種無機(jī)低介電常數(shù)（二）高k介質(zhì)應(yīng)DRAM存儲器高密