集成電路工藝個(gè)人總結(jié)_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩25頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、曹飛個(gè)人版總結(jié)引言引言第一只晶體管第一只晶體管?第一只晶體管AT&TBellLab1947?第一片單晶鍺1952?第一片單晶硅1954(25mm,1英寸)?第一只集成電路(IC)TI1958?第一只IC商品Fairchild1961摩爾定律晶體管最小尺寸的極限摩爾定律晶體管最小尺寸的極限?價(jià)格保持不變的情況下晶體管數(shù)每12月翻一番,1980s后下降為每18月翻一番;?最小特征尺寸每3年減小70%?價(jià)格每2年下降50%;ICIC的極限的極

2、限?硅原子直徑:2.35;?形成一個(gè)器件至少需要20個(gè)原子;?估計(jì)晶體管最小尺寸極限大約為50或0.005um,或5nm。電子級(jí)多晶硅的純度電子級(jí)多晶硅的純度一般要求含si99.9999以上,提高純度達(dá)到99.9999999—99.999999999%(911個(gè)9)。其導(dǎo)電性介于1041010。電子級(jí)高純cm?多晶硅以9N以上為宜?!鰞?chǔ)量豐富,便宜;(27.6%)■SiO2性質(zhì)很穩(wěn)定、良好介質(zhì),易于熱氧化生長(zhǎng);■較大的禁帶寬度(1.12

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論