n阱cmos

1、《微電子技術(shù)綜合實(shí)踐微電子技術(shù)綜合實(shí)踐》設(shè)計(jì)報告設(shè)計(jì)報告題目：N阱CMOS芯片薄膜工藝設(shè)計(jì)院系：自動化學(xué)院電子工程系專業(yè)班級：學(xué)生學(xué)號：學(xué)生姓名：指導(dǎo)教師姓名：成績：223MOS管的器件特性設(shè)計(jì)管的器件特性設(shè)計(jì)1、PMOSPMOS管參數(shù)設(shè)計(jì)與計(jì)算：管參數(shù)設(shè)計(jì)與計(jì)算：因?yàn)槠渲校?，oxBGStEBV??BE610cmVVBVGS20?所以（為便于計(jì)算取400）333106206????cmVBGSoxEBVt飽和電流：，式中（VGSVT）

2、≥VDS(sat)，2()()2poxDGSTWCIsatVVL???oxoxoxtC??則IDsat≥1mA故可得寬長比：281075.8cmFCox???65.11?LW由可得寬長比：msVVLCWVIgTGSOXGSDm5.0)(p???????75.8?LW?65.11?LWGHzLVVfTGSp12)(2max??????mL?24.3?msfoxoxSSSDTPtQQV????????n(max)2)||(取PMOS襯底濃度

3、為查出功函數(shù)差與摻雜濃度的關(guān)系可知：?DN314105??cm)ln(dnifnNeKT??29106.1cmcqQQSSSS????TDSDxdeNQ?(max)21n)4(DfsTeNxd???取發(fā)現(xiàn)當(dāng)時；=0.23VTxd=1.1810cm，AN314105???cmNAfn?Vms285.0???4=，符合要求(max)SDQ29cm1044.9C??VVTP03.1??又可知便于計(jì)算及工藝對稱美觀性，?22LqNBVsADS?