版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
1、楊晗23120082203807~1~光子學(xué)原理課程期末論文光子學(xué)原理課程期末論文——量子阱原理及其應(yīng)用量子阱原理及其應(yīng)用信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院信息科學(xué)與技術(shù)學(xué)院08電子信息工程電子信息工程楊晗楊晗23120082203807楊晗23120082203807~3~.量子阱的制備通常是通過(guò)將一種材料夾在兩種材料(通常是寬禁帶材料)之間而形成的。比如兩層砷化鋁之間夾著砷化鎵。一般這種材料可以通過(guò)MBE(分子束外延)或者CVD(化學(xué)氣相沉積)的方
2、法來(lái)制備。就像三明治一樣的結(jié)構(gòu),中間是很薄的一層半導(dǎo)體膜,外側(cè)是兩個(gè)隔離層。用激光朝量子阱閃一下,可以使中間的半導(dǎo)體層里產(chǎn)生電子和帶正電的空穴。通常情況下,電子會(huì)與空穴結(jié)合,放出光子??茖W(xué)家將量子阱的上層制造得特別薄,厚度不足30埃,這樣就可迫使中間層產(chǎn)生的電子與空穴結(jié)合時(shí),以變化的電場(chǎng)而不是光子的形式釋放能量。電場(chǎng)的作用使鄰近的量子點(diǎn)中產(chǎn)生新的電子和空穴,從而令它們結(jié)合并放出光子.對(duì)多量子阱,若勢(shì)壘壁厚LB仍為無(wú)限大(實(shí)際上只需大于2
3、0nm)勢(shì)壘足夠高(△Ec0.5Ev)其電子的狀態(tài)有如單量子阱中的電子,相鄰量子阱中的電子的波函數(shù)不會(huì)發(fā)生重疊。但若勢(shì)壘壁逐漸變薄,則相鄰量子阱中電子的波函數(shù)就會(huì)因隧穿效應(yīng)而逐漸有所交疊,并使簡(jiǎn)并能級(jí)分裂成帶[2],如圖所示:圖3勢(shì)壘高度有限的多量子阱和超晶格中電子的波函數(shù)二量子阱效應(yīng)與超晶格效應(yīng)量子阱效應(yīng)與超晶格效應(yīng)對(duì)具有勢(shì)阱結(jié)構(gòu)或者超晶格結(jié)構(gòu)的人工合成材料,當(dāng)其中窄禁帶材料的厚度小于載流子的平均自由程時(shí),其電子特性會(huì)發(fā)生某些變化,甚
4、至?xí)霈F(xiàn)一些非此結(jié)構(gòu)不會(huì)出現(xiàn)的特殊物理現(xiàn)象。這些跟勢(shì)阱的形成以及尺寸有關(guān)的效應(yīng)即被稱為量子阱效應(yīng)或超晶格效應(yīng)。主要的量子阱效應(yīng)和超晶格效應(yīng)是量子約束效應(yīng),如前所述,對(duì)于由兩層寬禁帶材料和夾在其間的窄禁帶材料薄層構(gòu)成的量子阱,當(dāng)窄禁帶薄層的厚度小于電子平均自由程時(shí),電子在薄層法線方向上的運(yùn)動(dòng)將受到限制,只能在薄層平面內(nèi)自由運(yùn)動(dòng)。與體材料中的電子相比,這種運(yùn)動(dòng)史一種二維運(yùn)動(dòng),至少是準(zhǔn)二維運(yùn)動(dòng)。受約束的電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的這一重大變化的突出表現(xiàn)是其
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 淺談量子阱器件的發(fā)展及其應(yīng)用
- 離子阱中的量子計(jì)算及改進(jìn).pdf
- 量子點(diǎn)量子阱結(jié)構(gòu)中的激子.pdf
- 半導(dǎo)體量子阱中量子相干效應(yīng)及其應(yīng)用的理論研究.pdf
- AlGaInN量子阱LED的研究.pdf
- ZnO-ZnMgO多量子阱的制備及表征.pdf
- 量子阱、量子線中非線性光學(xué)特性的研究.pdf
- 紫外激光誘導(dǎo)的量子阱混合技術(shù)及光子集成器件應(yīng)用.pdf
- GaAs-AlGaAs量子阱中電磁誘導(dǎo)透明效應(yīng)及其應(yīng)用.pdf
- 高應(yīng)變InGaAs多量子阱材料外延及發(fā)光特性.pdf
- InGaAsSb-AlGaAsSb量子阱結(jié)構(gòu)及光譜分析.pdf
- 金屬量子阱系統(tǒng)和金納米結(jié)構(gòu)催化效應(yīng)的第一性原理研究.pdf
- 有限深量子阱中極化子的性質(zhì)
- 超晶格量子阱光學(xué)性質(zhì)的研究.pdf
- 表面動(dòng)力學(xué)和金屬量子阱系統(tǒng)的第一性原理研究.pdf
- 量子點(diǎn)量子阱結(jié)構(gòu)中極化子的斯塔克效應(yīng).pdf
- 量子阱和量子點(diǎn)體系中的載流子動(dòng)力學(xué).pdf
- 氮化鎵量子阱波導(dǎo)及波導(dǎo)集成器件的研究.pdf
- InGaN-GaN量子阱LED光電特性及輻照特性研究.pdf
- 卷曲量子阱薄膜中的應(yīng)變特性研究
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論