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1、題庫題庫(一)半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分1、計算分析題已知:在室溫(T=300K)時,硅本征載流子的濃度為ni=1.51010cm3電荷的電量q=1.61019Cn=1350p=5002cmVs?2cmVs?半導(dǎo)體硅材料在室溫的條件下,測得n0=4.5104cm3,ND=51015cm3問:⑴該半導(dǎo)體是n型還是p型?⑵分別求出多子和少子的濃度⑶樣品的電導(dǎo)率是多少?⑷分析該半導(dǎo)體的是否在強電離區(qū),為什么?0DnN?2、說明元素半
2、導(dǎo)體Si、Ge中的主要摻雜雜質(zhì)及其作用?3、什么叫金屬半導(dǎo)體的整流接觸和歐姆接觸,形成歐姆接觸的主要方法有那些?4、為什么金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體接觸可以形成歐姆接觸?PN部分部分5、什么叫pn結(jié)的勢壘電容?分析勢壘電容的主要的影響因素及各因素導(dǎo)致壘電容大小變化的趨勢。6、什么是pn結(jié)的正向注入和反向抽?。?、pn結(jié)在正向和反向偏置的情況下,勢壘區(qū)和載流子運動是如何變化的?8、簡述pn結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的機理9、什么叫二極管的反向恢
3、復(fù)時間,提高二極管開關(guān)速度的主要途徑有那些?10、如圖1所示,請問本PN結(jié)的偏壓為正向,還是反向?準(zhǔn)費米能級形成的主要原因PN結(jié)空間電荷區(qū)寬度取決的什么因素,對本PN結(jié)那邊空間電荷區(qū)更寬?圖2雙極型晶體管共發(fā)射極直流輸出特性曲線20、如圖3所示,對于一個NPNN結(jié)構(gòu)的雙極晶體管,隨著集電極電流的增大出現(xiàn)了那種效應(yīng)?請詳細(xì)描述圖3(ac)曲線的形成的過程。()()()CCCIcIbIa??偏偏偏偏偏偏偏偏偏偏Kirkeffect偏偏偏偏偏
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