半導(dǎo)體器件物理題庫(kù)

1、《半導(dǎo)體器件物理》（A）卷第1頁(yè)共12頁(yè)（）半導(dǎo)體中的電子濃度越大，則空穴濃度越小。（）同一種材料中，電子和空穴的遷移率是相同的。（）非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)的判據(jù)是n0p0=ni2。（）PN結(jié)空間電荷區(qū)寬度隨反偏電壓的增大而減小。（）MOSFET只有一種載流子（電子或空穴）傳輸電流。（）平衡PN結(jié)中費(fèi)米能級(jí)處處相等。（）雙極性晶體管的放大作用是在工作在飽和區(qū)。（）要提高雙極晶體管的直流電流放大系數(shù)α、β值，就必須提高發(fā)射結(jié)的注入系數(shù)

2、和基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。（）金屬與N型半導(dǎo)體接觸，如果金屬的功函數(shù)大于半導(dǎo)體的功函數(shù)則形成歐姆接觸，反之形成肖特基勢(shì)壘接觸。（）場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和漏極可以互換，雙極型晶體管的發(fā)射極和集電極也是可以互換的。1下列固體中，禁帶寬度Eg最大的是（）A金屬B半導(dǎo)體C絕緣體D超導(dǎo)體2受主雜質(zhì)電離后向半導(dǎo)體提供（）A空穴B電子C質(zhì)子D中子3硅中非平衡載流子的復(fù)合主要依靠（）A直接復(fù)合B間接復(fù)合C俄歇復(fù)合D直接和間接復(fù)合4衡量電子填充能級(jí)水平的是（）A施主

3、能級(jí)B費(fèi)米能級(jí)C受主能級(jí)D缺陷能級(jí)5室溫下，半導(dǎo)體Si中摻硼的濃度為1014cm－3，同時(shí)摻有濃度為1.11015cm－3的磷，則空穴濃度約為（）。（已知：室溫下，ni≈1.51010cm3，570K時(shí)，ni≈21017cm3）A1014cm3B1015cm3C1010cm3D105cm3《半導(dǎo)體器件物理》（A）卷第3頁(yè)共12頁(yè)如果摻雜濃度，且利用（5）式得到，；aiNn??adNN??0apN?如果摻雜濃度，且利用（4）式得到，；di

4、Nn??daNN??0dnN?帶入（6）式得：??lnln7daFFiFiFiiNNEEkTEEkTnn????????????????所以，隨著施主摻雜濃度的增大，N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)遠(yuǎn)離本征費(fèi)米能dNFE級(jí)向?qū)Э拷?；同樣，隨著受主摻雜濃度的增大，P型半導(dǎo)體的費(fèi)米能FiEaN級(jí)遠(yuǎn)離本征費(fèi)米能級(jí)向價(jià)帶靠近。FEFiE解釋空間電荷區(qū)（或稱耗盡區(qū)）冶金結(jié)的兩邊的P區(qū)和N區(qū)，由于存在載流子濃度梯度而形成了空間電荷區(qū)或耗盡區(qū)。該區(qū)內(nèi)不存在任何

5、可移動(dòng)的電子或空穴。N區(qū)內(nèi)的空間電荷區(qū)由于存在著施主電離雜質(zhì)而帶正電，P區(qū)內(nèi)的空間電荷區(qū)由于存在著受主電離雜質(zhì)而帶負(fù)電。解釋空間電荷區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)空間電荷區(qū)的內(nèi)建電場(chǎng)方向由N型空間電荷區(qū)指向P型空間電荷區(qū)。解釋空間電荷區(qū)的內(nèi)建電勢(shì)差空間電荷區(qū)兩端的內(nèi)建電勢(shì)差維持著熱平衡狀態(tài)，阻止著N區(qū)的多子電子向P區(qū)擴(kuò)散的同時(shí)，也阻止著P區(qū)的多子空穴向N區(qū)擴(kuò)散。什么是空間電荷區(qū)復(fù)合電流和產(chǎn)生電流，它們是怎么產(chǎn)生的？正偏壓PN結(jié)空間電荷區(qū)邊緣處的載流子濃度