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1、3D3D立體封裝技術(shù)簡(jiǎn)說(shuō)立體封裝技術(shù)簡(jiǎn)說(shuō)我們?nèi)粘J褂玫脑S多產(chǎn)品因3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展的形態(tài)和功能得以實(shí)現(xiàn)。(諸如手機(jī)、個(gè)人娛樂(lè)設(shè)備和閃存驅(qū)動(dòng)器等)。3D封裝技術(shù)也對(duì)那些依賴(lài)胰島素泵和去纖顫器等可植入醫(yī)療設(shè)備的患者為提升生命質(zhì)量起著關(guān)鍵作用。越來(lái)越多的半導(dǎo)體產(chǎn)品采用垂直化發(fā)展的堆疊式裸片、層疊封裝(PoP)或穿透硅通道(TSV)等封裝技術(shù),功能密度、重量和可配置性方面的優(yōu)勢(shì)只是3D封裝技術(shù)廣受青睞的部分原因。方法,去評(píng)估與具體設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)
2、相關(guān)的各個(gè)方面。這種方法使焊盤(pán)布置變得容易,而且能在整個(gè)系統(tǒng)環(huán)境中推斷并評(píng)估各種連接情況。一個(gè)一體化的芯片封裝PCB數(shù)據(jù)模型自動(dòng)將設(shè)計(jì)元素的變化衍播至鄰近區(qū)域,對(duì)系統(tǒng)范圍內(nèi)的影響提供瞬時(shí)反饋。在具體設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)之前,優(yōu)化IO焊盤(pán)環(huán)和封裝到封裝的連接性,以改善性能、成本和可制造性,從而最終獲得及時(shí)、有效的PoP開(kāi)發(fā)結(jié)果。前瞻性建模在設(shè)計(jì)流程的早期使用抽取結(jié)果,可使設(shè)計(jì)人員能夠了解拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和實(shí)現(xiàn)選擇對(duì)系統(tǒng)級(jí)行為產(chǎn)生的影響。在了解信號(hào)負(fù)載、延時(shí)、
3、反射和耦合等情況之后,IO設(shè)計(jì)人員可實(shí)現(xiàn)更加可靠的片上驅(qū)動(dòng)器。類(lèi)似地,在設(shè)計(jì)早期使用封裝電源面和片上電源柵格電氣模型,可使設(shè)計(jì)人員對(duì)封裝和芯片之間的去耦電容布置進(jìn)行權(quán)衡,以實(shí)現(xiàn)具有最佳性能、最低成本的設(shè)計(jì)。利用可行性研究生成的跡線和線綁定長(zhǎng)度,設(shè)計(jì)人員可大致估計(jì)信號(hào)網(wǎng)絡(luò)的寄生參數(shù)。不過(guò),提取功率傳輸系統(tǒng)寄生參數(shù)需要某種形式(即使近似)的物理實(shí)現(xiàn)。不連續(xù)的返回路徑、電源面的共振以及去耦策略取決于物理實(shí)現(xiàn)。因此,在考慮是否分割功率傳輸面以及
4、它們與信號(hào)完整性的交互作用方面,完整的封裝提取為做出最終選擇提供了很好的支持。這種選擇必須在封裝設(shè)計(jì)流程的早期就確定下來(lái);在設(shè)計(jì)流程后期很難改變,即使提取量?jī)H被用于最終驗(yàn)證,或?yàn)橥禄蚩蛻?hù)提供最終設(shè)計(jì)的電氣模型。TSV封裝是一種垂直封裝形式,它有望實(shí)現(xiàn)更高的集成密度并支持高帶寬的存儲(chǔ)邏輯接口。一些看法認(rèn)為,當(dāng)僅憑半導(dǎo)體工藝本身無(wú)法實(shí)現(xiàn)芯片縮放時(shí),TSV封裝可作為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的手段。在TSV技術(shù)中,是利用硅片上的通孔將裸片堆疊并直接相連,
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