鐵電極電絮凝處理含Cd(Ⅱ)廢水特性研究.pdf

1、本論文采用自制的電絮凝裝置處理含Cd（II）廢水，分別研究了各影響因素對Cd（II）去除效果的影響及其吸附動力學(xué)；進一步考察了共存陰離子對Cd（II）去除效果的影響及其機制。在此基礎(chǔ)上，探討了電絮凝方法去除Cd（II）的機理。具體研究內(nèi)容和結(jié)論如下：
　　考察了電流密度、電荷密度、pH、Cd（II）初始濃度對Cd（II）去除效果的影響，結(jié)果表明：電流密度、電荷密度、pH、Cd（II）初始濃度是影響Cd（II）去除的重要因素。在電流

2、密度為4.20~44.66 mA/cm2范圍內(nèi)，電絮凝處理Cd（II）其最高去除率可達到99.75％，在電流密度達到17.87 mA/cm2以上，電流密度對Cd（II）去除率的影響趨于穩(wěn)定。與電流密度相比，電荷密度作為電絮凝的條件參數(shù)可能更科學(xué)。在pH為5~9時，pH值越高，除鎘效果越好。在Cd（II）初始濃度為5~20 mg/L范圍內(nèi)，隨著Cd（II）初始濃度的增加，電絮凝對Cd（II）的去除效果下降，電絮凝處理后廢水中Cd（II）最

3、低濃度可降至0.03 mg/L。
　　考察了共存陰離子對Cd（II）去除的影響，研究發(fā)現(xiàn)、磷酸根、硅酸根離子在濃度為0到20 mg/L范圍內(nèi)對Cd（II）去除存在抑制作用，抑制機理為競爭性吸附，而碳酸根基本沒有影響。對電絮凝過程去除廢水中Cd（II）抑制作用顯著，且濃度越大，抑制作用越明顯，但其并不影響溶液中總鐵和亞鐵的生成。磷酸根離子濃度與鎘去除率呈負(fù)相關(guān)，且磷酸根離子濃度越大，Cd（II）去除率越低。硅酸根離子在pH為7時，存

4、在著少量硅酸鹽，其與鐵氧化物的結(jié)合，占據(jù)了Cd（II）的結(jié)合位點從而影響了電絮凝對Cd（II）的去除，但是幾乎所有的硅酸鹽都以不帶電荷的H2SiO3（＞99.8％）的形式存在，很難通過電性中和作用吸附在鐵氧化物的表面上，因而硅酸根離子對Cd（II）的去除僅表現(xiàn)為微弱的抑制作用。
　　電絮凝處理含Cd（II）廢水過程符合擬一級動力學(xué)，擬合程度較好。運用法拉第定律和溶液中總鐵、亞鐵的測定證明，電絮凝過程中Fe(s)首先被電解成