2011cb013100-g高性能led制造與裝備中的關(guān)鍵基礎(chǔ)問題研究

1、項(xiàng)目名稱：高性能高性能LEDLED制造與裝備中的關(guān)鍵基礎(chǔ)問制造與裝備中的關(guān)鍵基礎(chǔ)問題研究題研究首席科學(xué)家：劉巖劉巖深圳清華大學(xué)研究院深圳清華大學(xué)研究院起止年限：2011.112016.82011.112016.8依托部門：深圳市科技工貿(mào)和信息華委員會(huì)深圳市科技工貿(mào)和信息華委員會(huì)難加工襯底材料表面原子級(jí)平坦化（表面粗糙度Ra0.1nm）和高效去除（去除速率大于6μmh）方法，解決襯底材料的平坦化難題。針對(duì)這些難點(diǎn)，設(shè)置三方面研究內(nèi)容：1）

2、大尺寸同大尺寸同質(zhì)襯質(zhì)襯底生成及缺陷控制原理與裝底生成及缺陷控制原理與裝備實(shí)現(xiàn)備實(shí)現(xiàn)建立適用于HVPE快速生長非平衡態(tài)體系的熱力學(xué)過程和動(dòng)力學(xué)生長模型，考慮化學(xué)反應(yīng)及反應(yīng)副產(chǎn)物等動(dòng)力學(xué)因素，并利用此模型對(duì)外延膜表面的形核、長大及聚結(jié)進(jìn)行深入分析；在反應(yīng)腔尺寸放大條件下，進(jìn)行流場(chǎng)溫度場(chǎng)均勻性設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)GaN厚膜厚度均勻性和晶體質(zhì)量均勻性控制；研究自支撐GaN厚膜HVPE的生長動(dòng)力學(xué)特性，探索晶格失配、熱失配、形核與聚結(jié)等對(duì)厚膜應(yīng)力生成和積

3、聚的影響規(guī)律，尋找降低或阻斷應(yīng)力和缺陷生成的方法，建立三維應(yīng)力模型；為解決晶體生長過程中不同沉積速率與反應(yīng)腔噴頭、流量控制精度的匹配，減少多工作點(diǎn)不匹配造成的缺陷增多問題，構(gòu)建由高溫工藝腔聯(lián)接的多腔分步反應(yīng)腔系統(tǒng)，以高效率批量獲得高質(zhì)量GaN襯底。擬研究以下五部分內(nèi)容：（1）HVPE生長非平衡態(tài)體系的動(dòng)力學(xué)生長模型及三維應(yīng)力模型；（2）反應(yīng)腔尺寸放大條件下的均勻流場(chǎng)溫度場(chǎng)設(shè)計(jì)；（3）GaN厚膜厚度均勻性和晶體質(zhì)量均勻性控制理論；（4）應(yīng)