改進型共源共柵電流鏡設計報告

1、前言：前言：本文謹獻給有共同興趣愛好的同學們，以互相討論共同進步。由于本人是初學者，文中難免有誤，真誠希望同學和前輩們批評指正；在設計過程中走過不少彎路，深知其中的困難，為了共同的提高，茲特共享此文。真誠期待喜歡模擬又切實投入時間探討的同學加為好友：.改進型共源共柵電流鏡設計報告改進型共源共柵電流鏡設計報告Auth:WANGQQ【摘要】：本文力圖嚴謹、細致和全面地把一個典型的電流鏡設計過程呈現(xiàn)給讀者，該文探討的是改進過的低輸出電壓高輸出

2、電阻的電流鏡設計?！娟P鍵字】：共源共柵、高輸出電阻、低輸出電壓一一邊界條件邊界條件1.1工藝規(guī)范工藝規(guī)范(1)硅晶體的一些常數硅帶隙0GV1.205V(300K)波爾茲曼常數k1.38e23JK本征載流子濃度(@300K)in1.45e103cm?真空介電常數0?8.85e14Fcm硅介電常數011.7si??A1.05e12Fcm二氧化硅介電常數03.9ox??A3.5e13Fcm電子電荷q1.6e19C(2)制造工藝0.5umCOM

3、SN_WELL3metal1poly(3)SPICELEVEL1COMS體工藝模型參數MOSFETN_channelP_channel閾值電壓0TV0.6431V0.6614V本征導電因子(跨導參數)KP123e62AV37.9e62AV體效應因子?0.6312V0.6712V三三確定電路拓撲結構確定電路拓撲結構設計選擇的電路拓撲結構如下圖所示：123456ABCD654321DCBATitleNumberRevisionSizeBDa

4、te:17Oct2006SheetofFile:D:e0___exerciseanalog_cmos_ic_designA00___projectcurrent_mirr.ddbDrawnBy:MN2MN4MN3MNBMN1IINIBRLVDGND14235其中：每個MOSFET的襯底都接地，(WL)1=(WL)2(WL)3=(WL)4.通過大信號直流工作點分析和小信號等效電路分析（對不起，這部分分析是電路設計的基礎，希望大家看相關的資

5、料，這里就不詳細展開了。），可以知道該電路的特點如下：1.小信號輸入電阻低（～1gm1）2.輸入端工作電壓低（）11112max()TMAXTIinVVVKPWL????3.小信號輸出電阻高（）23333[1()]outdsmmbdsdsrrggrr????4.輸出端最小工作電壓低（）43~2(@2)MAXTMAXVVVV????四四設計變量初始估算設計變量初始估算4.1確定確定(WL)1、（WL）2為了計算設計變量，我們有必要了解電路