國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

1、1國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》（預(yù)審稿）編制說(shuō)明（預(yù)審稿）編制說(shuō)明一、工作簡(jiǎn)況1、立項(xiàng)目的及意義清潔能源發(fā)展是全世界共同研究的課題，也是我國(guó)大力扶持的項(xiàng)目，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的不斷擴(kuò)大，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅材料需求量猛增，其速度高于電子級(jí)多晶硅的發(fā)展。伴隨太陽(yáng)能電池對(duì)高轉(zhuǎn)換率、低衰減率等高品質(zhì)的追求，對(duì)原生多晶無(wú)論在內(nèi)在性能還是外觀形態(tài)以及包裝形式上上都提出了更細(xì)、更高的要求，現(xiàn)行的《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》已不能完全適應(yīng)光伏產(chǎn)

2、業(yè)鏈各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的要求。本標(biāo)準(zhǔn)的修訂將會(huì)更好地指導(dǎo)光伏產(chǎn)業(yè)鏈各生產(chǎn)環(huán)節(jié)對(duì)多晶硅原料質(zhì)量的控制和要求。事實(shí)上，原生多晶會(huì)影響在直拉太陽(yáng)能單晶棒或生產(chǎn)多晶硅鑄錠的質(zhì)量，進(jìn)而影響硅片質(zhì)量，間接影響太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)化率、壽命和發(fā)電成本。大量研究結(jié)果表明，高效率、高品質(zhì)的太陽(yáng)能電池需要高純的多晶供原料保障，雖然在直拉太陽(yáng)能單晶棒或生產(chǎn)多晶硅鑄錠時(shí)需要摻雜，達(dá)到硅片所需的可控的電學(xué)性能，但金屬雜質(zhì)的對(duì)太陽(yáng)能電池的負(fù)面影響已得到業(yè)內(nèi)的公認(rèn)。隨著多晶硅生產(chǎn)

3、工藝的不斷的改革與創(chuàng)新，技術(shù)發(fā)展與進(jìn)步顯著，目前改良西門(mén)子法工藝生產(chǎn)的多晶硅不僅能滿足太陽(yáng)能電池的要求，部分產(chǎn)品已經(jīng)滿足電子級(jí)產(chǎn)品的要求。伴隨多個(gè)國(guó)家對(duì)光伏行業(yè)“雙反”及貿(mào)易壁壘，國(guó)內(nèi)多晶價(jià)格一路下滑，國(guó)內(nèi)光伏市場(chǎng)舉步維艱，國(guó)家通過(guò)制定《多晶硅行業(yè)準(zhǔn)入條件》等一系列宏觀措施規(guī)范、推進(jìn)行業(yè)的發(fā)展。《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》作為規(guī)定太陽(yáng)能電池的原材料的重要技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，其進(jìn)一步的優(yōu)化和提升，首先有效的緩解了行業(yè)內(nèi)及上下游間的質(zhì)量異議，其次對(duì)多晶行業(yè)秩序

4、起一定的規(guī)范作用，再次在這個(gè)大數(shù)據(jù)的時(shí)代，技術(shù)與信息的透明與共享更利于企業(yè)加強(qiáng)管理，推動(dòng)行業(yè)的進(jìn)步。2、任務(wù)來(lái)源根據(jù)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)委《關(guān)于下達(dá)2014年第二批國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)修訂計(jì)劃的通知》（國(guó)標(biāo)委綜合[2014]89號(hào)）文件精神，由洛陽(yáng)中硅高科技有限公司負(fù)責(zé)修訂《太陽(yáng)能級(jí)多晶硅》，由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)負(fù)責(zé)歸口，計(jì)劃編號(hào)20141898T469，計(jì)劃完成時(shí)間為2016年。3、編制單位簡(jiǎn)況洛陽(yáng)中硅高科技有限公司[簡(jiǎn)稱(chēng)：中硅高科

5、]成立于2003年，是由中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司、洛陽(yáng)硅業(yè)集團(tuán)有限公司、偃師金豐投資管理有限公司和中國(guó)有色工程有限公司3提出更高的要求，因此太陽(yáng)能級(jí)多晶硅新指標(biāo)的制定為本標(biāo)準(zhǔn)最核心的內(nèi)容。根據(jù)太陽(yáng)能電池生產(chǎn)的實(shí)際技術(shù)需求，考慮改良西門(mén)子法的實(shí)際控制水平，權(quán)衡市場(chǎng)效應(yīng)和經(jīng)濟(jì)利益的影響，以及國(guó)際對(duì)光伏材料的要求，制定新的技術(shù)要求如下：技術(shù)指標(biāo)（一）項(xiàng)目特極品1級(jí)品2級(jí)品3級(jí)品基磷電阻率，Ωcm≥150≥100≥50≥25基硼電阻率，Ωcm≥

6、1500≥1000≥500≥200氧濃度，atomscm3≤0.21017≤0.51017≤1.01017≤1.01017碳濃度，atomscm3≤2.01016≤2.51016≤3.01016≤4.01016少數(shù)載流子壽命，μs≥300≥200≥100≥50技術(shù)指標(biāo)（二）項(xiàng)目特極品1級(jí)品2級(jí)品3級(jí)品施主雜質(zhì)濃度，109≤0.75≤1.10≤2.3≤4.8受主雜質(zhì)濃度，109≤0.18≤0.26≤0.54≤1.32氧濃度，atomscm

7、3≤0.21017≤0.51017≤1.01017≤1.01017碳濃度，atomscm3≤2.01016≤2.51016≤3.01016≤4.01016少數(shù)載流子壽命，μs≥300≥200≥100≥50基體金屬雜質(zhì)，nggFe、Cr、Ni、Cu、Zn≤20≤50≤100≤100表面金屬雜質(zhì)，ngg，F(xiàn)e、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、Na≤50≤100≤100≤1001)基磷、基硼電阻率及施、受主雜質(zhì)濃度的確定：基磷、基硼電阻率及施、

8、受主雜質(zhì)濃度的確定：1基磷電阻率和基磷電阻率：沿用原標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)則把材料的N型電阻率和P型電阻率的比例定為1:10；大量研究表明，光照條件下，BO復(fù)合體的產(chǎn)生會(huì)導(dǎo)致硅單晶電池的早期光致衰減，因此基磷電阻率基本維持未變，基硼電阻率進(jìn)行適當(dāng)提升。2雖然滲透元素磷硼的污染會(huì)改變?cè)墓ぷ鼽c(diǎn)，使器件產(chǎn)生工作錯(cuò)誤，但是太陽(yáng)雖然滲透元素磷硼的污染會(huì)改變?cè)墓ぷ鼽c(diǎn)，使器件產(chǎn)生工作錯(cuò)誤，但是太陽(yáng)能電池片對(duì)施受主雜質(zhì)要求并不高，能電池片對(duì)施受主雜質(zhì)要求并不