多晶硅太陽能電池酸腐蝕制絨研究.pdf

1、多晶制絨的主要目的是為了制備絨面以降低反射率。目前主流的制備多晶硅絨面的技術(shù)有：機(jī)械刻槽、激光刻槽、反應(yīng)離子刻蝕，酸腐蝕等。其中酸腐蝕法制備多晶硅絨面又因?yàn)槠涔に嚦墒欤瑑r(jià)格低廉等優(yōu)勢成為了目前多晶硅太陽能電池行業(yè)制絨的主要方式。HF-HNO3-H2O體系是生產(chǎn)當(dāng)中比較常見的酸腐蝕法制絨體系，國內(nèi)外針對酸腐蝕制絨的研究很廣泛，也是近年來太陽能電池制絨研究的熱點(diǎn)之一。
　　本論文在對國內(nèi)外文獻(xiàn)調(diào)研的基礎(chǔ)上，對工業(yè)化生產(chǎn)當(dāng)中的HF-HN

2、O3-H2O的制絨體系中的影響因素進(jìn)行了研究。
　　首先，研究了工業(yè)化酸腐蝕制絨過程中的主要工藝參數(shù)：酸體積比例、酸濃度、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間、攪拌速率等工藝參數(shù)對制絨效果的影響。設(shè)置多組不同的工藝參數(shù)值，通過對實(shí)驗(yàn)結(jié)果的對比，得出了各種工藝參數(shù)對制絨反應(yīng)的影響變化趨勢，在此基礎(chǔ)上得出了在反應(yīng)溫度6℃、酸比例1:5.5等的工藝參數(shù)下，得到了量產(chǎn)反射率為25％-26％的多晶硅絨面。
　　其次，研究了一種添加劑冰醋酸對HF-HNO

3、3-H2O制絨體系的反應(yīng)速率、制絨效果、電池片電性能的影響。通過多組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對比得出了HF酸與冰醋酸的體積比例為1:2的條件下，使得制絨后的硅片的反射率降低了2％。
　　最后，針對酸腐蝕制絨過程中出現(xiàn)的“網(wǎng)紋”進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。研究了反應(yīng)溫度、酸體積比例、預(yù)溶硅的量對網(wǎng)紋形成的影響。最后得出了在反應(yīng)溫度為6℃、酸體積比例為1:5.5、預(yù)溶硅的濃度為1g/L的工藝參數(shù)條件下，網(wǎng)紋能夠基本消除。
　　酸腐蝕制絨是目前晶體硅太陽