fab工藝資料

1、1名詞介紹名詞介紹1.ActiveArea主動區(qū)（工作區(qū)主動區(qū)（工作區(qū)）主動晶體管（ActiveTransist）被制造的區(qū)域即所謂的主動區(qū)（ActiveArea）。在標準之MOS制造過程中ActiveArea是由一層氮化硅光罩接著氮化硅蝕刻之后的局部場區(qū)氧化所形成的，而由于利用到局部場氧化之步驟，所以ActiveArea會受到鳥嘴（Bird’sBeak）之影響而比原先之氮化硅光罩所定義的區(qū)域來的小，以長0.6UM之場區(qū)氧化而言，大概會

2、有0.5UM之Bird’sBeak存在，也就是說ActiveArea比原在之氮化硅光罩所定義的區(qū)域小0.5UM。2.Acetone丙酮丙酮①丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。②性質(zhì)為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。③在FAB內(nèi)之用途，主要在于黃光室內(nèi)正光阻之清洗、擦拭。④對神經(jīng)中樞具中度麻醉性，對皮膚黏膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，吸入過量之丙酮蒸汽會刺激鼻、眼結(jié)膜及咽喉黏膜，甚至引起頭痛、惡心、嘔吐、目眩、意識不明

3、等。⑤允許濃度1000PPM。3.ADI顯影后檢查顯影后檢查①定義：AfterDevelopingInspection之縮寫②目的：檢查黃光室制程；光阻覆蓋→對準→曝光→顯影。發(fā)現(xiàn)缺點后，如覆蓋不良、顯影不良…等即予修改，以維護產(chǎn)品良率、品質(zhì)。③方法：利用目檢、顯微鏡為之。4.AEI蝕刻后檢查蝕刻后檢查①定義：AEI即AfterEtchingInspection，在蝕刻制程光阻去除前及光阻去除后，分別對產(chǎn)品實施全檢或抽樣檢查。②目的：提

4、高產(chǎn)品良率，避免不良品外流；達到品質(zhì)的一致性和制程之重復(fù)性；顯示制程能力之指針；阻止異常擴大，節(jié)省成本。③通常AEI檢查出來之不良品，非必要時很少作修改，因為重去氧化層或重長氧化層可能造成組件特性改變可靠性變差、缺點密度增加，生產(chǎn)成本增高，以及良率降低之缺點。5.AirShower空氣洗塵室進入潔凈室之前，需穿無塵衣，因在外面更衣室之故，無塵衣上沾著塵埃，故進潔凈室之前，需經(jīng)空氣噴洗機將塵埃吹掉。6.Alignment對準對準①定義：利

5、用芯片上的對準鍵，一般用十字鍵和光罩上的對準鍵合對為之。②目的：在IC的制造過程中，必須經(jīng)過6~10次左右的對準、曝光來定義電路圖案，對準就是要將層層圖案精確地定義顯像在芯片上面。③方法：A人眼對準；B用光、電組合代替人眼，即機械式對準。7.AlloySinter熔合熔合Alloy之目的在使鋁與硅基(SiliconSubstrate)之接觸有Ohmic特性，即電壓與電流成線性關(guān)系。Alloy也可降低接觸的阻值。8.ALSI鋁硅靶此為金屬

6、濺鍍時所使用的一種金屬合金材料，利用Ar游離的離子，讓其撞擊此靶的表面，把AlSi的原子撞擊出來，而鍍在芯片表面上，一般使用之組成為AlSi(1%)，將此當作組件與外界導(dǎo)線連接。9.ALSICU鋁硅銅金屬濺鍍時所使用的原料名稱，通常稱為Target，其成分為0.5﹪銅，1﹪硅及98.5﹪鋁，一般制程通常是使用99﹪鋁1﹪硅，后來318.BakeSoftBakeHardBake烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤，軟烤，預(yù)烤烘烤烘烤：在集成電路芯片上的制

7、造過程中，將芯片至于稍高溫（60℃～250℃）的烘箱內(nèi)或熱板上均可謂之烘烤，隨其目的的不同，可區(qū)分微軟烤（Softbake）與預(yù)烤（Hardbake）。軟軟烤（Softbake）：其使用時機是在上完光阻后，主要目的是為了將光阻中的溶劑蒸發(fā)去除，并且可增加光阻與芯片之附著力。預(yù)烤（Hardbake）：又稱為蝕刻前烘烤（preetchbake），主要目的為去除水氣，增加光阻附著性，尤其在濕蝕刻（wetetching）更為重要，預(yù)烤不全會造成

8、過蝕刻。19.BF2二氟化硼二氟化硼一種供做離子植入用之離子。BF2＋是由BF3＋氣體經(jīng)燈絲加熱分解成：B10、B11、F19、B10F2、B11F2。經(jīng)Extract拉出及質(zhì)譜磁場分析后而得到。是一種Ptype離子，通常用作VT植入（閘層）及SD植入。20.Boat晶舟晶舟Boat原意是單木舟，在半導(dǎo)體IC制造過程中，常需要用一種工具作芯片傳送、清洗及加工，這種承載芯片的工具，我們稱之為Boat。一般Boat有兩種材質(zhì)，一是石英、另一

9、是鐵氟龍。石英Boat用在溫度較高（大于300℃）的場合。而鐵氟龍Boat則用在傳送或酸處理的場合。21.B.O.E緩沖蝕刻液緩沖蝕刻液BOE是HF與NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蝕刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF為主要的蝕刻液，NH4F則作為緩沖劑使用。利用NH4F固定〔H＋〕的濃度，使之保持一定的蝕刻率。HF會浸蝕玻璃及任何含硅石的物質(zhì)，對皮膚有強烈的腐蝕性，不小心被濺到，應(yīng)用大量水沖洗。22.Bondi

10、ngPAD焊墊焊墊焊墊－晶利用以連接金線或鋁線的金屬層。在晶粒封裝（Assembly）的制程中，有一個步驟是作“焊線”，即是用金線（塑料包裝體）或鋁線（陶瓷包裝體）將晶粒的線路與包裝體之各個接腳依焊線圖（BondingDiagram）連接在一起，如此一來，晶粒的功能才能有效地應(yīng)用。由于晶粒上的金屬線路的寬度即間隙都非常窄小，（目前SIMC所致的產(chǎn)品約是微米左右的線寬或間隙），而用來連接用的金線或鋁線其線徑目前由于受到材料的延展性即對金屬

11、接線強度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情況下，要把二、三十微米的金屬線直接連接到金屬線路間距只有3微米的晶粒上，一定會造成多條鋁線的接橋，故晶粒上的鋁路，在其末端皆設(shè)計成一個約4mil見方的金屬層，此即為焊墊，以作為接線使用。焊墊通常分布再晶粒之四個外圍上（以粒封裝時的焊線作業(yè)），其形狀多為正方形，亦有人將第一焊線點作成圓形，以資辨識。焊墊因為要作接線，其上得護層必須蝕刻掉，故可在焊墊上清楚地

12、看到“開窗線”。而晶粒上有時亦可看到大塊的金屬層，位于晶粒內(nèi)部而非四周，其上也看不到開窗線，是為電容。23.Bon硼自然元素之一。由五個質(zhì)子及六個中子所組成。所以原子量是11。另外有同位素，是由五個質(zhì)子及五個中子所組成原子量是10（B10）。自然界中這兩種同位素之比例是4：1，可由磁場質(zhì)譜分析中看出，是一種Ptype的離子（B11＋），用來作場區(qū)、井區(qū)、VT及SD植入。24.BPSG含硼及磷的硅化物含硼及磷的硅化物BPSG乃介于Poly