半導(dǎo)體專業(yè)術(shù)語

1、1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.accept:受主，如B，摻入Si中需要接受電子3.Acid：酸4.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非線性，可以對信號放大）5.Alignmark(key)：對位標(biāo)記6.Alloy：合金7.Aluminum：鋁8.Ammonia：氨水9.Ammoniumfluide：NH4F10.Ammoniumhydroxide：NH

2、4OH11.Amphoussilicon：αSi，非晶硅（不是多晶硅）12.Analog：模擬的13.Angstrom：A（1E10m）埃14.Anisotropic：各向異性（如POLYETCH）15.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時間后的失效率）16.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射層（用于ME

3、TAL等層的光刻）17.Argon(Ar)氬18.Arsenic(As)砷19.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷20.Arsine(AsH3)21.Asher：去膠機22.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）23.Autodoping：自攙雜（外延時SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?4.Backend：后段（CONTACT以后、PCM測試前）25.Baseline：

4、標(biāo)準(zhǔn)流程26.Benchmark：基準(zhǔn)27.Bipolar：雙極28.Boat：擴散用（石英）舟29.CD：（CriticalDimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLYCD為多晶條寬。30.acterwindow：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個方形區(qū)域。31.Chemicalmechanicalpolish（CMP）：化學(xué)機械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。32.Chemicalv

5、apdeposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層薄膜的工藝。33.Chip：碎片或芯片。34.CIM：computerintegratedmanufacturing的縮寫。用計算機控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。35.Circuitdesign：電路設(shè)計。一種將各種元器件連接起來實現(xiàn)一定功能的技術(shù)。36.Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。37.Compensat

6、iondoping：補償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。38.CMOS：complementarymetaloxidesemiconduct的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個硅襯底上混合制造的工藝。39.Computeraideddesign（CAD）：計算機輔助設(shè)計。40.Conductivitytype：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。41.Conta

7、ct：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。42.Controlt：控制圖。一種用統(tǒng)計數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。43.Crelation：相關(guān)性。44.Cp：工藝能力，詳見processcapability。45.Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見processcapabilityindex。46.Cycletime：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時間。通常用來衡量流通速度的快慢。47.Damage：損傷。對于單晶體來

8、說，有時晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。48.Defectdensity：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。49.Depletionimplant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）50.Depletionlayer：耗盡層?？蓜虞d流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。51.Depletionwidth：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個

9、區(qū)域的寬度。52.Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。53.Depthoffocus（DOF）：焦深。54.designofexperiments(DOE)：為了達到費用最小化、降低試驗錯誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果111.meann:平均值112.measuredleakraten:測得漏率113.mediann:中間值114.memyn:記憶體115.metaln:金屬116.n

10、anometer(nm)n：納米117.nanosecond(ns)n：納秒118.nitrideetchn：氮化物刻蝕119.nitrogen(N2)n：氮氣，一種雙原子氣體120.ntypeadj：n型121.ohmspersquaren：歐姆每平方:方塊電阻122.ientationn：晶向，一組晶列所指的方向123.overlapn：交迭區(qū)124.oxidationn：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進行的化學(xué)反應(yīng)125.phosp

11、hus(P)n：磷，一種有毒的非金屬元素126.photomaskn：光刻版，用于光刻的版127.photomasknegativen：反刻128.images：去掉圖形區(qū)域的版129.photomaskpositiven：正刻130.pilotn：先行批，用以驗證該工藝是否符合規(guī)格的片子131.plasman：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體132.plasmaenhancedchemicalvapdeposition(PEC

12、VD)n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝133.plasmaenhancedTEOSoxidedepositionn：TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝134.pnjunctionn：pn結(jié)135.pockedbeadn：麻點，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠136.polarizationn：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語137.polyciden：多晶硅金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)138.poly

13、crystallinesilicon(poly)n：多晶硅，高濃度摻雜（5E19）的硅，能導(dǎo)電。139.polymphismn：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象140.probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。141.processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。142.proximityXrayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X

14、射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對應(yīng)的光刻膠暴光。143.purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。144.quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動性。145.quartzcarriern:石英舟。146.romaccessmemy(RAM)n:隨機存儲器。147.romlogicdevicen:隨機邏輯器件。148.rapidthermalprocessing(RTP)n:快速熱處理

15、(RTP)。149.reactiveionetch(RIE)n:反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。150.reactn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進行的密封隔離腔。151.recipen:菜單。生產(chǎn)過程中對圓片所做的每一步處理規(guī)范。152.resistn:光刻膠。153.scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。154.scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時間。155.Schottkybarrie

16、rdiodesn:肖特基二極管。156.scribelinen:劃片槽。157.sacrificialetchbackn:犧牲腐蝕。158.semiconductn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。159.sheetresistance(Rs)(persquare)n:薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。160.sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。161.silicononsapphire(SOS)epi

17、taxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片162.smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個圖案的布局。174.spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。175.sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176.stackingfault:堆垛層錯，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯誤。177.steambath:蒸汽浴，一個

18、大氣壓下，流動蒸汽或其他溫度熱源的暴光。178.stepresponsetime:瞬態(tài)特性時間，大多數(shù)流量控制器實驗中，普通變化時段到氣流剛到達特定地帶的那個時刻之間的時間。179.stepper:步進光刻機（按BLOCK來曝光）180.stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181.surfaceprofile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。182.symptom:征兆，人員感覺到