模擬電子技術(shù)課后習(xí)題及答案

1、第一章常用半導(dǎo)體器件自測題一、判斷下列說法是否正確，用“√”和“”表示判斷結(jié)果填入空內(nèi)。（1）在N型半導(dǎo)體中摻入足夠量的三價(jià)元素，可將其改為P型半導(dǎo)體。（）（2）因?yàn)镹型半導(dǎo)體的多子是自由電子，所以它帶負(fù)電。（）（3）PN結(jié)在無光照、無外加電壓時(shí)，結(jié)電流為零。（）（4）處于放大狀態(tài)的晶體管，集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的。（）（5）結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的耗盡層承受反向電壓，才能保證其RGS大的特點(diǎn)。（）（6）若耗盡型N溝

2、道MOS管的UGS大于零，則其輸入電阻會(huì)明顯變小。（）解：（1）√（2）（3）√（4）（5）√（6）二、選擇正確答案填入空內(nèi)。（1）PN結(jié)加正向電壓時(shí)，空間電荷區(qū)將。A.變窄B.基本不變C.變寬（2）設(shè)二極管的端電壓為U，則二極管的電流方程是。A.ISeUB.TUUIeSC.)1e(S－TUUI（3）穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在。A.正向?qū)˙.反向截止C.反向擊穿（4）當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為。A.前者反偏、后者

3、也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏V2mA6.2CCCCCEBC?????RIVUII?各點(diǎn)連接成曲線，即為臨界過損耗線，如解圖T1.5所示。臨界過損耗線的左邊為過損耗區(qū)。六、電路如圖T1.6所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V。試問：（1）Rb＝50kΩ時(shí)，uO＝？（2）若T臨界飽和，則Rb≈？解：解：（1）Rb＝50kΩ時(shí)，基極電流、集電極電流和管壓降分別為26bBEBBB???RUVIμA所以輸出電

4、壓UO＝UCE＝2V。（2）設(shè)臨界飽和時(shí)UCES＝UBE＝0.7V，所以?????????k4.45A6.28mA86.2BBEBBbCBcCESCCCIUVRIIRUVI??七測得某放大電路中三個(gè)MOS管的三個(gè)電極的電位如表T1.7所示，它們的開啟電壓也在表中。試分析各管的工作狀態(tài)(截止區(qū)、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)），并填入表內(nèi)。表T1.7T1.7管號UGSGS（thth）VVUSVVUGVVUDVV工作狀態(tài)工作狀態(tài)T14－513T2－43