模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第四版課后習(xí)題答案

1、第一章 第一章 常用半導(dǎo)體器件 常用半導(dǎo)體器件 自 測 題 一 、判 斷 下 列 說 法 是 否 正 確 ，用“ √ ”和“ ×”表 示 判 斷 結(jié) 果 填 入 空 內(nèi) 。（ 1） 在 N 型 半 導(dǎo) 體 中 如 果 摻 入 足 夠 量 的 三 價(jià) 元 素 ， 可 將 其 改 型 為 P 型半 導(dǎo) 體 。 （ ） （ 2） 因 為 N 型 半 導(dǎo) 體 的 多 子 是 自 由 電 子 ， 所 以 它 帶 負(fù) 電 。 （

2、 ） （ 3） PN 結(jié) 在 無 光 照 、 無 外 加 電 壓 時(shí) ， 結(jié) 電 流 為 零 。 （ ） （ 4） 處 于 放 大 狀 態(tài) 的 晶 體 管 ， 集 電 極 電 流 是 多 子 漂 移 運(yùn) 動(dòng) 形 成 的 。 （ ） （ 5） 結(jié) 型 場 效 應(yīng) 管 外 加 的 柵 -源 電 壓 應(yīng) 使 柵 -源 間 的 耗 盡 層 承 受 反 向 電壓 ， 才 能 保 證 其 RGS 大 的 特 點(diǎn) 。 （ ） （

3、 6） 若 耗 盡 型 N 溝 道 MOS 管 的 UGS 大 于 零 ， 則 其 輸 入 電 阻 會(huì) 明 顯 變 小 。（ ） 解 ： （ 1） √ （ 2） × （ 3） √ （ 4） × （ 5） √ （ 6） × 二 、 選 擇 正 確 答 案 填 入 空 內(nèi) 。 （ 1） PN 結(jié) 加 正 向 電 壓 時(shí) ， 空 間 電 荷 區(qū) 將 。 A. 變 窄

4、 B. 基 本 不 變 C. 變 寬 （ 2） 設(shè) 二 極 管 的 端 電 壓 為 U， 則 二 極 管 的 電 流 方 程 是 。 A. ISeU B. T U U I e SC. ) 1 e ( S － T U U I（ 3） 穩(wěn) 壓 管 的 穩(wěn) 壓 區(qū) 是 其 工 作 在 。 A. 正 向 導(dǎo) 通 B.反 向 截 止 C.反 向 擊 穿 （ 4

5、） 當(dāng) 晶 體 管 工 作 在 放 大 區(qū) 時(shí) ， 發(fā) 射 結(jié) 電 壓 和 集 電 結(jié) 電 壓 應(yīng) 為 。A. 前 者 反 偏 、 后 者 也 反 偏 B. 前 者 正 偏 、 后 者 反 偏 C. 前 者 正 偏 、 后 者 也 正 偏 （ 5） UGS＝ 0V 時(shí) ， 能 夠 工 作 在 恒 流 區(qū) 的 場 效 應(yīng) 管 有 。 A. 結(jié) 型 管 B. 增 強(qiáng) 型 MOS 管 C. 耗 盡 型 M

6、OS 管 解 ： 解 ： （ 1） A （ 2） C （ 3） C （ 4） B （ 5） A C 第 一 章 題 解 － 1五 、 某 晶 體 管 的 輸 出 特 性 曲 線 如 圖 T1.5 所 示 ， 其 集 電 極 最 大 耗 散 功 率PCM＝ 200mW， 試 畫 出 它 的 過 損 耗 區(qū) 。 圖 T1.5 解 圖 T1.5 解 ： 解 ： 根 據(jù) PC

7、M＝ 200mW 可 得 ： UCE＝ 40V 時(shí) IC＝ 5mA， UCE＝ 30V 時(shí) IC≈ 6.67mA， UCE＝ 20V 時(shí) IC＝ 10mA， UCE＝ 10V 時(shí) IC＝ 20mA， 將 各 點(diǎn) 連 接 成曲 線 ，即 為 臨 界 過 損 耗 線 ，如 解 圖 T1.5 所 示 。臨 界 過 損 耗 線 的 左 邊 為 過 損 耗區(qū) 。 六 、 電 路 如 圖 T1.6 所 示 ， VCC＝ 15V， β ＝ 100，

8、 UBE＝ 0.7V。 試 問 ： （ 1） Rb＝ 50kΩ 時(shí) ， uO＝ ？ （ 2） 若 T 臨 界 飽 和 ， 則 Rb≈ ？ 解 ： 解 ： （ 1） Rb＝ 50kΩ 時(shí) ， 基 極 電 流 、 集電 極 電 流 和 管 壓 降 分 別 為 26bBE BB B = ? = RU V I μ A V 2mA 6 . 2C C CC CEB C = ? == =R I V UI I β所 以 輸 出 電 壓 UO＝