吳友宇主編模擬電子技術基礎課后習題答案

1、第三部分第三部分習題與解答習題與解答習題習題1客觀檢測題客觀檢測題一、填空題一、填空題1、在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質濃度，而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時，擴散電流大于漂移電流，耗盡層變窄。當外加反向電壓時，擴散電流小于漂移電流，耗盡層變寬。3、在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。二判斷題二判斷題1、由于P型半導體中含有大量空穴載流子，N型半導體中含有大量電子載流

2、子，所以P型半導體帶正電，N型半導體帶負電。（）2、在N型半導體中，摻入高濃度三價元素雜質，可以改為P型半導體。（√）3、擴散電流是由半導體的雜質濃度引起的，即雜質濃度大，擴散電流大；雜質濃度小，擴散電流小。（）4、本征激發(fā)過程中，當激發(fā)與復合處于動態(tài)平衡時，兩種作用相互抵消，激發(fā)與復合停止。（）5、PN結在無光照無外加電壓時，結電流為零。（√）6、溫度升高時，PN結的反向飽和電流將減小。（）7、PN結加正向電壓時，空間電荷區(qū)將變寬。（

3、）三簡答題三簡答題1、PN結的伏安特性有何特點？答：根據(jù)統(tǒng)計物理理論分析，PN結的伏安特性可用式表示。)1e(IITVVsD???式中，ID為流過PN結的電流；Is為PN結的反向飽和電流，是一個與環(huán)境溫度和材料等有關的參數(shù)，單位與I的單位一致；V為外加電壓；VT=kTq，為溫度的電壓當量（其單位與V的單位一致），其中玻爾茲曼常數(shù)，電子電量k.JK???23138103、PN結電容是怎樣形成的？和普通電容相比有什么區(qū)別？PN結電容由勢壘電

4、容Cb和擴散電容Cd組成。勢壘電容Cb是由空間電荷區(qū)引起的?？臻g電荷區(qū)內有不能移動的正負離子，各具有一定的電量。當外加反向電壓變大時，空間電荷區(qū)變寬，存儲的電荷量增加；當外加反向電壓變小時，空間電荷區(qū)變窄，存儲的電荷量減小，這樣就形成了電容效應?！皦|壘電容”大小隨外加電壓改變而變化，是一種非線性電容，而普通電容為線性電容。在實際應用中，常用微變電容作為參數(shù)，變容二極管就是勢壘電容隨外加電壓變化比較顯著的二極管。擴散電容Cd是載流子在擴散

5、過程中的積累而引起的。PN結加正向電壓時，N區(qū)的電子向P區(qū)擴散，在P區(qū)形成一定的電子濃度(Np)分布，PN結邊緣處濃度大，離結遠的地方濃度小，電子濃度按指數(shù)規(guī)律變化。當正向電壓增加時，載流子積累增加了△Q；反之，則減小，如圖1.3.3所示。同理，在N區(qū)內空穴濃度隨外加電壓變化而變化的關系與P區(qū)電子濃度的變化相同。因此，外加電壓增加△V時所出現(xiàn)的正負電荷積累變化△Q，可用擴散電容Cd來模擬。Cd也是一種非線性的分布電容。綜上可知，勢壘電容

6、和擴散電容是同時存在的。PN結正偏時，擴散電容遠大于勢壘電容；PN結反偏時，擴散電容遠小于勢壘電容。勢壘電容和擴散電容的大小都與PN結面積成正比。與普通電容相比，PN結電容是非線性的分布電容，而普通電容為線性電容。習題習題2客觀檢測題客觀檢測題一、填空題一、填空題1、半導體二極管當正偏時，勢壘區(qū)變窄，擴散電流大于漂移電流。2、在常溫下，硅二極管的門限電壓約0.6V，導通后在較大電流下的正向壓降約0.7V；鍺二極管的門限電壓約0.1V，導