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
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文檔簡介
1、211211試列舉試列舉你所知道的電力電子器件,并從不同的角度對這些電力電子器件進行分類。目你所知道的電力電子器件,并從不同的角度對這些電力電子器件進行分類。目前常用的控型電力電子器件常用的控型電力電子器件有哪些有哪些答:1.按照器件能夠被控制的程度,分為以下三類:(1)半控型器件:晶閘管及其派生器件(2)全控型器件:IGBTMOSFET,GTOGTR(3)不可控器件:電力二極管2.按照驅(qū)動信號的波形(電力二極管除外)(1)脈沖觸發(fā)型:
2、晶閘管及其派生器件(2)電平控制型:(全控型器件)IGBTMOSFET,GTOGTR3.按照器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分為三類:(1)單極型器件:電力MOSFET,功率SIT肖特基二極管(2)雙極型器件:GTRGTO晶閘管,電力二極管等(3)復(fù)合型器件:IGBTMCTIGCT等4.按照驅(qū)動電路信號的性質(zhì),分為兩類:(1)電流驅(qū)動型:晶閘管,GTO,GTR等(2)電壓驅(qū)動型:電力MOSFETIGBT等常用的控型電力電子器件
3、:門極可關(guān)斷晶閘管電力晶閘管,電力場效應(yīng)晶體管,絕緣柵雙極晶體管。215215對晶閘管觸發(fā)電路有哪些基本要求?對晶閘管觸發(fā)電路有哪些基本要求?晶閘管觸發(fā)電路應(yīng)滿足下列要求:1)觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)保證晶閘管的可靠導(dǎo)通;2)觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,對戶外寒冷場合,脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件最大觸發(fā)電流的35倍,脈沖前沿的陡度也需增加,一般需達到12AUS。3)所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過晶閘管門極的電壓、電流和功率定額,且在門極伏安特性的可靠出發(fā)
4、區(qū)域之內(nèi)。4)應(yīng)有良好的抗干擾性能、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離。218218IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動電路各有什么特點?IGBT、GTR、GTO和電力MOSFET的驅(qū)動電路各有什么特點?IGBT驅(qū)動電路的特點是:驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻,IGBT是電壓驅(qū)動型器件,IGBT的驅(qū)動多采用專用的混合集成驅(qū)動器。GTR驅(qū)動電路的特點是:驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流有足夠陡的前沿,并有一定的過沖,這樣可加速開通過程,減小開通
5、損耗;關(guān)斷時,驅(qū)動電路能提供幅值足夠大的反向基極驅(qū)動電流,并加反偏截止電壓,以加速關(guān)斷速度。GTO驅(qū)動電路的特點是:GTO要求其驅(qū)動電路提供的驅(qū)動電流的前沿應(yīng)有足夠的幅值和陡度,且一般需要在整個導(dǎo)通期間施加正門極電流,關(guān)斷需施加負門極電流,幅值和陡度要求更高,其驅(qū)動電路通常包括開通驅(qū)動電路,關(guān)斷驅(qū)動電路和門極反偏電路三部分。電力MOSFET驅(qū)動電路的特點:要求驅(qū)動電路具有較小的輸入電阻,驅(qū)動功率小且電路簡單。2、晶閘管對觸發(fā)脈沖的要求是
6、要有足夠的驅(qū)動功率、觸發(fā)脈沖前沿要陡幅值要高和觸發(fā)脈沖要與晶閘管陽極電壓同步。1.晶閘管兩端并聯(lián)R、C吸收回路的主要作用有哪些?其中電阻R的作用是什么?答:R、C回路的作用是:吸收晶閘管瞬間過電壓,限制電流上升率,動態(tài)均壓作用。R的作用為:使L、C形成阻尼振蕩,不會產(chǎn)生振蕩過電壓,減小晶閘管的開通電流上升率,降低開通損耗。、1010、下圖為一單相交流調(diào)壓電路,試分析當(dāng)開關(guān)、下圖為一單相交流調(diào)壓電路,試分析當(dāng)開關(guān)Q置于位置置于位置1、2、
7、3時,電路的工作情況并畫出開關(guān)置于不同位置時,時,電路的工作情況并畫出開關(guān)置于不同位置時,負載上得到的電壓波形。負載上得到的電壓波形。答:Q置于位置1:雙向晶閘管得不到觸發(fā)信號,不能導(dǎo)通,負載上無電壓。Q置于位置2:正半周,雙向晶閘管Ⅰ觸發(fā)方式導(dǎo)通。負半周,由于二極管VD反偏,雙向晶閘管得不到觸發(fā)信號,不能導(dǎo)通,負載上得到半波整流電壓。Q置于位置3:正半周,雙向晶閘管Ⅰ觸發(fā)方式導(dǎo)通。負半周,雙向晶閘管Ⅲ觸發(fā)方式導(dǎo)通,負載上得到近似單相交
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