2018長(zhǎng)安大學(xué)(802)考研大綱

1、20182018長(zhǎng)安大學(xué)長(zhǎng)安大學(xué)(802)(802)考研大綱考研大綱一、一、總體要求總體要求“集成電路與半導(dǎo)體物理”（802）由數(shù)字集成電路和半導(dǎo)體物理二部分組成，其中集成電路占40%（60分），半導(dǎo)體物理占60%（90分）?！皵?shù)字集成電路”要求學(xué)生應(yīng)深入理解數(shù)字集成電路的相關(guān)基礎(chǔ)理論，掌握數(shù)字集成電路電路、系統(tǒng)及其設(shè)計(jì)方法。重點(diǎn)掌握數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的質(zhì)量評(píng)價(jià)、相關(guān)參量；能夠設(shè)計(jì)并定量分析數(shù)字集成電路的核心——反相器的完整性、性能和能量

2、指標(biāo)；掌握CMOS組合邏輯門(mén)的設(shè)計(jì)、優(yōu)化和評(píng)價(jià)指標(biāo)；掌握基本時(shí)序邏輯電路的設(shè)計(jì)、優(yōu)化、不同形式時(shí)序器件各自的特點(diǎn)，時(shí)鐘的設(shè)計(jì)策略和影響因素；定性了解MOS器件；掌握并能夠量化芯片內(nèi)部互連線(xiàn)參數(shù)?！鞍雽?dǎo)體物理”要求學(xué)生熟練掌握半導(dǎo)體的相關(guān)基礎(chǔ)理論，了解半導(dǎo)體性質(zhì)以及受外界因素的影響及其變化規(guī)律。重點(diǎn)掌握半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和帶、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)、半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布、半導(dǎo)體的導(dǎo)電性、半導(dǎo)體中的非平衡載流子等相關(guān)知識(shí)、基本概念及相

3、關(guān)理論，掌握半導(dǎo)體中載流子濃度計(jì)算、電阻(導(dǎo))率計(jì)算以及運(yùn)用連續(xù)性方程解決載流子濃度隨時(shí)間或位置的變化及其分布規(guī)律等?！凹呻娐放c半導(dǎo)體物理”（802）研究生入學(xué)考試是所學(xué)知識(shí)的總結(jié)性考試，考試水平應(yīng)達(dá)到或超過(guò)本科專(zhuān)業(yè)相應(yīng)的課程要求水平。二、二、各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)各部分復(fù)習(xí)要點(diǎn)●“數(shù)字集成電路”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)●“數(shù)字集成電路”部分各章復(fù)習(xí)要點(diǎn)“數(shù)字集成電路”考試范圍及要點(diǎn)包括：數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)質(zhì)量評(píng)價(jià)的基本要素；CMOS集成電路設(shè)計(jì)規(guī)則與

4、工藝縮??；二極管基本結(jié)構(gòu)、參數(shù)、靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、二極管分析模型；MOS晶體管基本結(jié)構(gòu)、閾值工藝偏差工藝尺寸縮小封裝（二）器件（二）器件1.1.復(fù)習(xí)內(nèi)容復(fù)習(xí)內(nèi)容定性了解二極管、MOS晶體管，理解其工作原理，靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性；掌握SPICE模型和手工分析模型。2.2.具體要求具體要求二極管結(jié)構(gòu)二極管靜態(tài)特性二極管動(dòng)態(tài)特性二極管手工分析模型二極管SPICE模型MOS晶體管結(jié)構(gòu)MOS晶體管工作區(qū)MOS晶體管靜態(tài)特性、閾值電壓、溝道長(zhǎng)度調(diào)制