蒸發(fā)時(shí)間及功率對蒸發(fā)法制備cdznte薄膜性能的影響

1、密級公開學(xué)號081573畢業(yè)設(shè)計(jì)（論計(jì)（論文）文）蒸發(fā)時(shí)間及功率對蒸發(fā)法制備蒸發(fā)時(shí)間及功率對蒸發(fā)法制備CdZnTe薄膜性能的影響薄膜性能的影響院（系、部）：材料科學(xué)與工程系姓名：顧春芳院（系、部）：材料科學(xué)與工程系姓名：顧春芳年級：高084班年級：高084班專業(yè)：高分子材料科學(xué)與工程專業(yè)：高分子材料科學(xué)與工程指導(dǎo)教師：曾冬梅指導(dǎo)教師：曾冬梅教師職稱：講師教師職稱：講師2012年06月06日北京蒸發(fā)時(shí)間及功率對蒸發(fā)法制備CdZnTe薄膜性

2、能的影響I摘要摘要Cd1xZnxTe（簡稱為CZT）是近年發(fā)展起來的一種性能優(yōu)異的新型半導(dǎo)體材料，可廣泛應(yīng)用于太陽能、天文、醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。CdZnTe薄膜可以采用多種方法制備其中真空蒸發(fā)法制備的薄膜具有純度高、缺陷少、表面光滑、厚度均勻可控和附著力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。蒸發(fā)薄膜的力學(xué)、光學(xué)等性能與薄膜的生長和結(jié)構(gòu)有關(guān)。本課題利用四源共蒸發(fā)設(shè)備制備CdZnTe薄膜，研究蒸發(fā)時(shí)間及功率對CdZnTe薄膜表面形貌、厚度及性能的影響，制備出晶粒尺寸均勻、致密