臺階覆蓋工藝中0.6μm接觸孔刻蝕形貌對alsicu的填充效果的影響_第1頁
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文檔簡介

1、 上海交通大學碩士學位論文 臺階覆蓋工藝中 0.6µm 接觸孔刻蝕形貌對ALSICU 的填充效果的影響 碩 士 研 究 生：高菁如 學 號：1082102038 導 師：朱亦鳴副教授 副 導 師：黃建秋 申 請 學 位：工程碩士 學 科：集成電路 所 在 單 位：微電子學院 答 辯 日 期：2010 年 6 月 授予學位單位：上海交通大學 上海交通大學碩士學位論文 I 臺階覆蓋工藝中 0.6µm 接觸孔刻

2、蝕形貌對 ALSICU 的填充效果的影響 摘 要 本論文基于硅基 CMOS 工藝中直徑為 0.6µm， 高寬比大于 1 的接觸孔，研究其形貌與金屬填充（物理濺射工藝）效果的關系，并得出最優(yōu)填充效果下的接觸孔形貌。在各向同性和各向異性刻蝕菜單建立的過程中研究了相關工藝參數(shù)對于刻蝕形貌的影響，并確立了基準接觸孔形貌（各向同性與各向異性刻蝕比例為 1:1 的酒杯形貌） 。為了解決各向同性與各向異性部分的銜接尖角嚴重降低金屬臺階覆蓋率

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