強磁場條件下兩種壘d39;心的多電子效應

1、內(nèi)蒙古大學碩士學位論文強磁場條件下兩種壘D心的多電子效應姓名：邢雁申請學位級別：碩士專業(yè)：理論物理指導教師：王旭2001.6.1內(nèi)蒙古人學顧I ：學位論義一、引言半導體材料作為材料科學的一個分支，有著極為廣闊的應用前景。實際應用的半導體材料往往含有若干雜質(zhì)，雜質(zhì)的引入，改變了半導體材料的很多物理性能，特別是對半導體器件的質(zhì)量有著重要的影響。當代半導體技術(shù)的發(fā)展，在相當程度上決定于半導體中雜質(zhì)控制技術(shù)的發(fā)展。因此，對雜質(zhì)念的研究就顯得尤為

2、重要。早在1 9 5 6 年，Y a f e t l l J 等人就利用變分法對磁場中中性施主D o ( 即一個『F 施主離子束縛一個電子構(gòu)成的穩(wěn)定電子念) 的性質(zhì)進行了研究。1 9 5 8 年，L a m p e r t l 2 1 首次提出在半導體中可能存在一種類似于負氫離子H 一的電子態(tài)，即中性施主D o 可以再束縛一個自由電子構(gòu)成較穩(wěn)定的負離子中心，稱之為D 一心。隨后的許多實驗為D 一心的存在提供了有利的證據(jù)。例如在極低溫條件

3、下，利用遠紅外實驗在S i 和G e 中發(fā)現(xiàn)了D 一心“ J ，在I I I —V 族元素的復合半導體中也發(fā)現(xiàn)了D 一心川。在實驗上D 一心是決定半導體材料光學和電學性質(zhì)的一個重要因素，特別是對于摻雜半導體吸收和發(fā)光光譜的研究方面有著重要的作用，因而它一直吸引著廣大理論和實驗工作者的關(guān)注。D 一心是電子系統(tǒng)中最簡單的多體現(xiàn)象，其性質(zhì)依賴于電子的關(guān)聯(lián)性及正施主離子與束縛電子之間的作用，對其研究為研究和理解多體現(xiàn)象提供了最基礎(chǔ)的課題。由于強

4、磁場條件下二維和準二維的D 一心更適合于研究電子之間的關(guān)聯(lián)性，因此近年來，實驗工作者[ 8 - 1 3 J 和理論工作者I ”- 2 7 J 對二維和準二維D 一一t L , 進行了大量的研究，得到了一些重要的結(jié)論。在零磁場時，二維D 一心只有一個束縛態(tài)，P h e l p s和B a j a j ‘”J 利用變分法求得其束縛能為O ．4 8 R 。( R 。為罩得伯常數(shù)) ，是相應的三維D 一心束縛能0 ．0 5 5 5 R 。的八倍