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1、該論文主要運(yùn)用傳遞矩陣?yán)碚撗芯苛伺_(tái)階壘及多勢(shì)構(gòu)成的半導(dǎo)體超晶格結(jié)構(gòu)中電子的隧穿輸運(yùn)現(xiàn)象.(1)臺(tái)階壘是介于單勢(shì)壘與非對(duì)稱(chēng)雙勢(shì)壘之間的一類(lèi)新穎的中間量子結(jié)構(gòu),其某些隧穿輸運(yùn)性質(zhì)既優(yōu)越于單勢(shì)壘又優(yōu)越于非對(duì)稱(chēng)雙勢(shì)結(jié)構(gòu).這里慮及電子縱向、橫向運(yùn)動(dòng)的耦合效應(yīng),發(fā)現(xiàn)隨著縱向入射能量變化電子傳輸幾率的共振峰隨電子橫向波數(shù)的增在發(fā)生了左移;加縱向磁場(chǎng)時(shí),考慮到電子磁耦合效應(yīng),隨磁場(chǎng)的增加或朗道量子數(shù)的增大,共振峰也發(fā)生了左移.(2)該文研究了由兩種不同
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