二極管參數(shù)中英文對(duì)照表

1、二極管參數(shù)中英文對(duì)照表 二極管參數(shù)中英文對(duì)照表文字符 文字符號(hào) 中文 中文 EnglishIF(AV) 正向平均電流(整流管) mean foreard current (of diode)IT(AV) 通態(tài)平均電流 mean on-state currentVRSM 反向不重復(fù)峰值電壓 non-reetitive peak reverse voltageVRRM 反向重復(fù)峰值電壓 repetitive peak reverse vol

2、tageVDSM 斷態(tài)不重復(fù)峰值電壓 non-repetitive peak off-state voltageVDRM 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓 repetitive peak off-state voltageVFM 正向峰值電壓(整流管) peak forward voltage (of diode)VTM 通態(tài)峰值電壓 peak on-state voltageTjm 最高等效結(jié)溫 maximum virtual junction te

3、mperatureF 緊固力 mounting forceIRRM 反向重復(fù)峰值電流 repetitive peak reverse currentIDRM 斷態(tài)重復(fù)峰值電流 repetitive peak of-state currentVGT 門極觸發(fā)電壓 gate trigger voltageIGT 門極觸發(fā)電流 gate trigger currentRjc 結(jié)殼熱阻 junction-case thermal resista

4、nceQrr 反向恢復(fù)電荷 reverse recovery chargeITM 通態(tài)峰值電流 peak on-state currentIFM 正向峰值電流(整流管) peak forward current (of diode)ITSM 通態(tài)浪涌電流 surge on-state currentdv/dt 斷態(tài)電壓臨界上升率 critical rate of rise of off-state voltagedi/dt 通態(tài)電流臨界

5、上升率 critical rate of rise of on-state currenttgt 門極控制開(kāi)通時(shí)間 gate controlled turn-on timetq 電路換向關(guān)斷時(shí)間 cricuit commutated turn-off timeIRMS 通態(tài)方均根電流 R.M.S. on-state current(dv/dt)c換向電壓臨界上升率(雙向晶閘管)critical rate of rise of commu

6、tating voltage(of bi-directional thyristor)trr 反向恢復(fù)時(shí)間(二極管的) reverse recovery time (of diode)ton 開(kāi)通時(shí)間 turn on timets 存儲(chǔ)時(shí)間 storage timetf 下降時(shí)間 fall time激光二極管參數(shù)與原理及應(yīng)用 激光二極管參數(shù)與原理及應(yīng)用λ = hc/Eg (1) 式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導(dǎo)體的禁帶寬度

7、。上述由于電子與空穴的自發(fā)復(fù)合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當(dāng)自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過(guò)半導(dǎo)體時(shí)，一旦經(jīng)過(guò)已發(fā)射的電子—空穴對(duì)附近，就能激勵(lì)二者復(fù)合，產(chǎn)生新光子，這種光子誘使已激發(fā)的載流子復(fù)合而發(fā)出新光子現(xiàn)象稱為受激輻射。如果注入電流足夠大，則會(huì)形成和熱平衡狀態(tài)相反的載流子分布，即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。當(dāng)有源層內(nèi)的載流子在大量反轉(zhuǎn)情況下，少量自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子由于諧振腔兩端面往復(fù)反射而產(chǎn)生感應(yīng)輻射，造成選頻諧振正反饋，或者說(shuō)對(duì)某一頻率具有增益。當(dāng)增益大

8、于吸收損耗時(shí)，就可從 PN 結(jié)發(fā)出具有良好譜線的相干光——激光，這就是激光二極管的簡(jiǎn)單原理 激光二極管的簡(jiǎn)單原理。隨著技術(shù)和工藝的發(fā)展，目前實(shí)際使用的半導(dǎo)體激光二極管具有復(fù)雜的多層結(jié)構(gòu)。 常用的激光二極管有兩種:①PIN 光電二極管。它在收到光功率產(chǎn)生光電流時(shí)，會(huì)帶來(lái)量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內(nèi)部放大,比 PIN 光電二極管的傳輸距離遠(yuǎn)，但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比，光檢測(cè)器件后面須連接低噪聲預(yù)放大器和主放大器。半導(dǎo)

9、體激光二極管的工作原理，理論上與氣體激光器相同。激光二極管本質(zhì)上是一個(gè)半導(dǎo)體二極管，按照 PN 結(jié)材料是否相同，可以把激光二極管分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)（SH）、雙異質(zhì)結(jié)（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優(yōu)點(diǎn)，是目前市場(chǎng)應(yīng)用的主流產(chǎn)品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長(zhǎng)的優(yōu)點(diǎn)，但其輸出功率?。ㄒ话阈∮?2mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統(tǒng)中的應(yīng)用受到很大限制，不能傳

10、輸多頻道，高性能模擬信號(hào)。在雙向光接收機(jī)的回傳模塊中，上行發(fā)射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。半導(dǎo)體激光二極管的常用參數(shù)有： 半導(dǎo)體激光二極管的常用參數(shù)有：（1）波長(zhǎng)：即激光管工作波長(zhǎng)，目前可作光電開(kāi)關(guān)用的激光管波長(zhǎng)有 635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm 等。（2）閾值電流 Ith ：即激光管開(kāi)始產(chǎn)生激光振蕩的電流，對(duì)一般小功率激光管而言，其值約在數(shù)十毫安，具有應(yīng)變多量子

11、阱結(jié)構(gòu)的激光管閾值電流可低至 10mA 以下。（3）工作電流 Iop ：即激光管達(dá)到額定輸出功率時(shí)的驅(qū)動(dòng)電流，此值對(duì)于設(shè)計(jì)調(diào)試激光驅(qū)動(dòng)電路較重要。（4）垂直發(fā)散角 θ⊥：激光二極管的發(fā)光帶在垂直 PN 結(jié)方向張開(kāi)的角度，一般在 15?~40?左右。（5）水平發(fā)散角 θ∥：激光二極管的發(fā)光帶在與 PN 結(jié)平行方向所張開(kāi)的角度，一般在 6?~ 10?左右。（6）監(jiān)控電流 Im ：即激光管在額定輸出功率時(shí)，在 PIN 管上流過(guò)的電流。激光