超燃沖壓發(fā)動機(jī)C-SiC復(fù)合材料燒蝕研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩79頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、熱防護(hù)是超燃沖壓發(fā)動機(jī)技術(shù)中一個重要的研究課題,耐燒蝕性能是評價和衡量熱防護(hù)材料的重要指標(biāo),是發(fā)動機(jī)設(shè)計的關(guān)鍵參數(shù),影響到發(fā)動機(jī)結(jié)構(gòu)部件的工作效能和使用壽命。C/SiC復(fù)合材料是一種新型戰(zhàn)略性材料,具有低密度、耐高溫、高比模、高比強(qiáng)、脆性小、抗燒蝕、抗氧化和可靠性高等優(yōu)異性能,是超燃沖壓發(fā)動機(jī)理想的熱防護(hù)和熱結(jié)構(gòu)材料,但工程上缺乏燒蝕計算模型和方法,本文對此展開研究。
  基于對材料燒蝕機(jī)理的分析,認(rèn)為本文條件下沖刷和機(jī)械剝蝕可以

2、忽略,材料主要發(fā)生熱化學(xué)燒蝕,且主燒蝕區(qū)SiC主要發(fā)生活性氧化。綜合考慮了溫度、壓力、氧化性組分O2和H2O濃度的影響,建立了有氧無水和有氧加水條件下C/SiC材料的熱化學(xué)燒蝕模型。針對等離子體風(fēng)洞加熱(濕)空氣條件下C/SiC平板燒蝕實驗,對實驗導(dǎo)管進(jìn)行了流場數(shù)值模擬,模擬結(jié)果與實驗吻合較好。將材料壁面流場參數(shù)代入編制的燒蝕程序,對材料的穩(wěn)態(tài)燒蝕進(jìn)行了計算;各試片燒蝕厚度計算結(jié)果與實驗在一定程度上吻合,但由于受材料變形和流場未穩(wěn)定過程

3、的影響,部分試片在燒蝕厚度分布上與實驗存在差異。對于受這兩個因素影響較小的試片,主燒蝕區(qū)燒蝕厚度的平均相對誤差分別為10.2%和7.4%,說明本文建立的燒蝕模型和計算方法在一定程度上能夠預(yù)測C/SiC復(fù)合材料的燒蝕規(guī)律,為C/SiC復(fù)合材料在超燃沖壓發(fā)動機(jī)中的燒蝕計算及熱防護(hù)設(shè)計奠定了基礎(chǔ)。
  對燒蝕受溫度、壓力、氧化性組分(O2和H2O)濃度影響的定量分析表明,材料的燒蝕總體上隨溫度、壓力、氧化性組分濃度的提高或其他氧化性組分

4、的加入而加劇。溫度低于1600K時燒蝕非常輕微,1600K~1900K之間燒蝕厚度增加相對較慢,1900K之后燒蝕厚度增加相對較快,燒蝕嚴(yán)重;燒蝕厚度隨壓力或H2O濃度呈近似拋物線變化規(guī)律;隨O2濃度呈近似線性變化規(guī)律。
  進(jìn)行了超燃沖壓發(fā)動機(jī)主燃燒區(qū)域壁面C/SiC復(fù)合材料燒蝕的初步計算。計算結(jié)果表明,下壁面燒蝕較嚴(yán)重,最嚴(yán)重位置位于凹腔后緣下游轉(zhuǎn)折處,60s最大燒蝕厚度達(dá)到4.7mm,燒蝕厚度分布規(guī)律和壁面溫度分布規(guī)律相似。

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論