六方相碲一維納米結(jié)構(gòu)制備及其負(fù)光電導(dǎo)特性研究.pdf

1、碲是一種直接窄帶隙半導(dǎo)體，其禁帶寬度為0.34 eV，具有優(yōu)異的物理和化學(xué)性能。由于碲納米材料具有較大的比表面積和良好的載流子傳輸通道，它是非常重要的半導(dǎo)體光電材料，在半導(dǎo)體納米光電器件領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。本文以六方相碲納米線為研究對象，并采用水熱法實(shí)現(xiàn)了六方相碲納米線的可控制備。通過傳統(tǒng)的光刻微加工工藝，構(gòu)筑了基于單根碲納米線的金/碲納米線/金的兩端電學(xué)器件，深入研究了碲納米線在電場和光場下的光電導(dǎo)特性。
　　本研究主要內(nèi)容

2、包括：⑴通過水熱法制備出單純度高、分散性良好、結(jié)晶性好的Te納米線。采用深紫外光刻微加工技術(shù)構(gòu)筑了基于單根碲納米線的納米器件。在室溫下空氣中對其進(jìn)行場效應(yīng)測試，通過分析FET的輸出特性曲線與轉(zhuǎn)移特性曲線，發(fā)現(xiàn)碲納米線是一個(gè)典型的P型半導(dǎo)體，其空穴遷移率為387.777 cm2v-1s-1。在不同柵壓下，Ids-Vds曲線均表現(xiàn)為通過原點(diǎn)的直線，說明電極與納米線之間為良好的歐姆接觸。⑵研究了不同波長激光對Te納米線光電導(dǎo)特性的影響。在空氣

3、和真空的環(huán)境下，用紅光(波長為650 nm)照射直徑為612 nm的碲納米線器件，表現(xiàn)為負(fù)光電導(dǎo)現(xiàn)象。而用綠光(波長為532 nm)和藍(lán)光(波長為450 nm)照射時(shí)，碲納米線器件都表現(xiàn)為正的光電導(dǎo)現(xiàn)象。結(jié)果表明，Te納米線負(fù)光電導(dǎo)特性依賴光的波長，與氣氛無關(guān)。⑶研究了直徑大小對Te納米線光電導(dǎo)特性的影響。當(dāng)碲納米線的直徑為467 nm時(shí)，在三種不同波長(450nm，532nm和650nm)的激光照射下，器件的光電導(dǎo)都為負(fù)，與直徑為61