六方相碲一維納米結構制備及其負光電導特性研究.pdf

1、碲是一種直接窄帶隙半導體，其禁帶寬度為0.34 eV，具有優(yōu)異的物理和化學性能。由于碲納米材料具有較大的比表面積和良好的載流子傳輸通道，它是非常重要的半導體光電材料，在半導體納米光電器件領域有著廣闊的應用前景。本文以六方相碲納米線為研究對象，并采用水熱法實現(xiàn)了六方相碲納米線的可控制備。通過傳統(tǒng)的光刻微加工工藝，構筑了基于單根碲納米線的金/碲納米線/金的兩端電學器件，深入研究了碲納米線在電場和光場下的光電導特性。
　　本研究主要內容

2、包括：⑴通過水熱法制備出單純度高、分散性良好、結晶性好的Te納米線。采用深紫外光刻微加工技術構筑了基于單根碲納米線的納米器件。在室溫下空氣中對其進行場效應測試，通過分析FET的輸出特性曲線與轉移特性曲線，發(fā)現(xiàn)碲納米線是一個典型的P型半導體，其空穴遷移率為387.777 cm2v-1s-1。在不同柵壓下，Ids-Vds曲線均表現(xiàn)為通過原點的直線，說明電極與納米線之間為良好的歐姆接觸。⑵研究了不同波長激光對Te納米線光電導特性的影響。在空氣

3、和真空的環(huán)境下，用紅光(波長為650 nm)照射直徑為612 nm的碲納米線器件，表現(xiàn)為負光電導現(xiàn)象。而用綠光(波長為532 nm)和藍光(波長為450 nm)照射時，碲納米線器件都表現(xiàn)為正的光電導現(xiàn)象。結果表明，Te納米線負光電導特性依賴光的波長，與氣氛無關。⑶研究了直徑大小對Te納米線光電導特性的影響。當碲納米線的直徑為467 nm時，在三種不同波長(450nm，532nm和650nm)的激光照射下，器件的光電導都為負，與直徑為61