六方Bi19S27I3一維納米結(jié)構(gòu)的控制合成及其光電探測性能研究.pdf

1、半導(dǎo)體納米材料被認(rèn)為是下一代光電子器件中至關(guān)重要的一部分，比如：發(fā)光二級管、太陽能電池、光電探測器、場效應(yīng)晶體管以及熱電器件等等。其已得到了廣泛的研究，主要取決于它們幾何結(jié)構(gòu)上的各向異性，較大的比表面積，而且它們在二維上限制激發(fā)電子的能力要優(yōu)于塊狀材料。此外，半導(dǎo)體納米材料依賴不同的晶體取向還可表現(xiàn)出各種各樣的力學(xué)性能和反應(yīng)性。
　　因此，本論文主要利用溶劑熱法實現(xiàn)Bi19S27I3半導(dǎo)體一維納米結(jié)構(gòu)的控制合成，并對所制得的材料進(jìn)

2、行了光電探測性能表征及分析，主要研究結(jié)果如下：
　　（1）采用溶劑熱法實現(xiàn)了Bi19S27I3納米棒簇薄膜以及納米棒粉體的可控制備。研究了反應(yīng)時間、反應(yīng)溫度及反應(yīng)體系等對Bi19S27I3納米材料的成分以及形貌的影響規(guī)律，對其形成機(jī)理方面有了一些認(rèn)識。在有機(jī)溶劑為乙二醇，反應(yīng)溫度為180℃，反應(yīng)時間為12 h時，成功制備了的Bi19S27I3半導(dǎo)體納米材料。
　?。?）對所制備的Bi19S27I3納米材料進(jìn)行比較系統(tǒng)的表征，

3、XRD分析表明，材料物相很純，為六方結(jié)構(gòu)。SEM分析表明粉末樣品與薄膜樣品的形貌差別較大，前者是由近似一維陣列的納米棒簇組成，而后者則是由分散、無序的棒狀結(jié)構(gòu)組成。在可見光及近紅外光范圍內(nèi)吸收性能較好，材料的禁帶寬度約為0.83 eV。通過對其光電性能的測試，Bi19S27I3樣品對可見光和近紅外光照射高度敏感，尤其是在近紅外光照射下，光電響應(yīng)更為明顯。此外，在多個開關(guān)光源的循環(huán)下光電性能也能保持非常穩(wěn)定，說明其穩(wěn)定性較高。可以得出Bi