IGBT器件的低開(kāi)關(guān)損耗驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究.pdf

1、IGBT作為電力電子領(lǐng)域的常用開(kāi)關(guān)器件，主要應(yīng)用領(lǐng)域是中高頻開(kāi)關(guān)設(shè)備，隨著工作頻率的提升，由于寄生電感的存在，器件的開(kāi)關(guān)損耗變大，通過(guò)優(yōu)化IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)來(lái)降低IGBT器件功耗是IGBT應(yīng)用領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。本文基于對(duì)IGBT器件的基本工作原理和開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生原因的分析，歸納了 IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)的基本要求，提出了一種適用于中高頻IGBT器件的驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)方案，通過(guò)閉環(huán)反饋控制回路動(dòng)態(tài)調(diào)整IGBT的驅(qū)動(dòng)電流，減少器件的開(kāi)關(guān)損耗。論文主

2、要工作有：
　　介紹了IGBT器件的基本結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性，詳細(xì)分析了IGBT開(kāi)關(guān)過(guò)程中的器件參數(shù)變化，結(jié)合器件開(kāi)關(guān)損耗產(chǎn)生機(jī)理，得到IGBT驅(qū)動(dòng)電路的主要參數(shù)要求。
　　以IGBT驅(qū)動(dòng)要求及參數(shù)指標(biāo)為基礎(chǔ)，降低IGBT器件瞬態(tài)功耗為目的，通過(guò)減少驅(qū)動(dòng)電流充放電時(shí)間與輸入輸出信號(hào)延時(shí)等方法，設(shè)計(jì)了基于CMOS工藝的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，包括輸入接口電路、電平轉(zhuǎn)換電路、驅(qū)動(dòng)單元電路和輸出信號(hào)反饋回路等功能模塊。
　　最后通過(guò)Ca