NPT型IGBT器件的研究與設計.pdf

1、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是現(xiàn)如今主流的功率半導體器件之一,具有高耐壓,大電流,低損耗等優(yōu)點,在電力電子領域內(nèi)有廣泛應用。目前,國內(nèi)的IGBT生產(chǎn)技術尚不成熟,IGBT產(chǎn)品主要依賴于進口。因此,對IGBT器件的研制有極大的現(xiàn)實意義。
　　 本文旨在設計出第四代IGBT器件,NPT-IGBT,并結合實際工藝能力和性能需求進行優(yōu)化,使其能夠替代國外的NPT-IGBT器件。首先,論文比較分析了IGBT的現(xiàn)有結構,并給出了器件導通壓降

2、,擊穿電壓和開關時間的分析模型。然后,依據(jù)理論分析,采用工藝模擬軟件TSUPREM4和電學特性仿真軟件MEDICI對NPT-IGBT的柵結構、終端結構、JFET調(diào)整注入、背面離子注入等器件結構和工藝參數(shù)進行了仿真,重點分析了其結構和參數(shù)的調(diào)整對器件輸出特性、擊穿電壓和關斷時間等指標的影響,確定了最佳參數(shù)范圍,為具體的器件設計提供實驗依據(jù)。
　　 最后,在前面的仿真基礎上實現(xiàn)1200V／15A NPT-IGBT器件的設計。包括確定