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文檔簡介
1、由于IGBT不僅具有MOSFET驅(qū)動功率小、開關(guān)速度快，而且還具有GTR飽和壓降低的優(yōu)點，其作為一種新型的電力電子器件獲得了廣泛的應(yīng)用。近年來對IGBT的研究工作也成為熱點，自從80年代絕緣柵雙極型晶體管IGBT問世以來，它的仿真模型的建立一直受到人們的廣泛關(guān)注，國內(nèi)外學(xué)者對仿真模型的研究相繼開展。本文以國家電網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院自主研制的一款3300V/1200AIGBT模塊為對象，對其進行建模及開關(guān)特性研究。在調(diào)研了大量的IGBT建模方
2、法的基礎(chǔ)上分類并選擇了對于電氣工程師而言較為靈活且容易修正的行為模型，該模型的建立以測試為基礎(chǔ)并且易于實現(xiàn)。
本文首先介紹了IGBT的物理結(jié)構(gòu)及工作原理，并對其靜態(tài)特性、動態(tài)特性進行分析，在用Agilent B1505A功率器件分析儀以及LEMSYS動靜態(tài)測試儀測得了轉(zhuǎn)移特性曲線、輸出特性曲線及電容特性曲線，在Saber中建立了靜態(tài)模型及動態(tài)模型，并在標準仿真電路中進行了驗證。隨后從理論出發(fā)分析了IGBT的開通及關(guān)斷過程，并且
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