銀透明柔性導(dǎo)電薄膜的制備與表征.pdf

1、隨著電子元器件朝著小型化、集成化、輕便化發(fā)展，以 ITO（摻錫氧化銦）為代表的金屬氧化物導(dǎo)電薄膜越來越難以滿足社會(huì)需求。主要原因如下：
　?。?）金屬氧化物脆性較大，經(jīng)多次彎曲折疊之后，易產(chǎn)生裂紋或者從柔性襯底上剝落，不能滿足柔性電子器件的要求。
　?。?）金屬氧化物的薄膜生長技術(shù)如化學(xué)氣相沉積（CVD）、真空蒸鍍等方法，工藝較復(fù)雜，多涉及高溫，超出了柔性襯底的耐受范圍。
　　以銀納米線和銀金屬網(wǎng)格為代表的透明柔性導(dǎo)電

2、薄膜具有較好的柔韌性和導(dǎo)電性，能經(jīng)受多次彎折和撓曲，可在室溫下成膜，成為最有希望取代ITO的導(dǎo)電材料，應(yīng)用于觸摸屏、平板顯示、透明防護(hù)層等領(lǐng)域。
　　本論文的研究內(nèi)容主要包括如下三個(gè)方面：
　　（1）用醇熱法制備出銀納米線，通過調(diào)節(jié)反應(yīng)條件包括聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的添加量、FeCl3?6H2O的添加量、以及聚乙烯吡咯烷酮（PVP）的分子量得到不同形貌的產(chǎn)物，并對各反應(yīng)條件的作用進(jìn)行了探討。
　　（2）以銀納米線為導(dǎo)