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文檔簡介
1、隨著電子元器件朝著小型化、集成化、輕便化發(fā)展,以 ITO(摻錫氧化銦)為代表的金屬氧化物導電薄膜越來越難以滿足社會需求。主要原因如下:
?。?)金屬氧化物脆性較大,經多次彎曲折疊之后,易產生裂紋或者從柔性襯底上剝落,不能滿足柔性電子器件的要求。
(2)金屬氧化物的薄膜生長技術如化學氣相沉積(CVD)、真空蒸鍍等方法,工藝較復雜,多涉及高溫,超出了柔性襯底的耐受范圍。
以銀納米線和銀金屬網(wǎng)格為代表的透明柔性導電
2、薄膜具有較好的柔韌性和導電性,能經受多次彎折和撓曲,可在室溫下成膜,成為最有希望取代ITO的導電材料,應用于觸摸屏、平板顯示、透明防護層等領域。
本論文的研究內容主要包括如下三個方面:
?。?)用醇熱法制備出銀納米線,通過調節(jié)反應條件包括聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的添加量、FeCl3?6H2O的添加量、以及聚乙烯吡咯烷酮(PVP)的分子量得到不同形貌的產物,并對各反應條件的作用進行了探討。
?。?)以銀納米線為導
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