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文檔簡介
1、具有半導(dǎo)體性質(zhì)的納米CdS/CdSe材料因其在光電,電學(xué),生物和催化等領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而受到科學(xué)家們的廣泛關(guān)注,在利用CdS或CdSe量子點制備太陽能電池、光化學(xué)傳感器和生物傳感器方面取得了很大進展?,F(xiàn)在該領(lǐng)域研究的重點之一是將納米CdS/CdSe材料和具有各種功能的有機及無機材料進行組合,拓展納米CdS/CdSe材料的應(yīng)用范圍,從微觀結(jié)構(gòu)層次研究CdS/CdSe量子點材料的能級及性質(zhì)。其難點就是要合成粒度分布均一的的量子點。CdS/Cd
2、Se簇合物因有明確的尺度和組成以及空間排列的信息,可以作為納米CdS/CdSe材料的模型進行研究,因而具有重要的理論和實際意義。
本論文通過溶劑揮發(fā)和溶劑熱方法合成多種具有陰陽離子對的功能鎘硫簇合物,研究這些功能簇合物在熒光光譜,紫外可見光譜,以及電化學(xué)實驗和光電流響應(yīng)等方面的性質(zhì)。主要研究內(nèi)容和結(jié)果如下:
(1)使用溶劑揮發(fā)法合成了陰陽離子對化合物,陽離子為M(Phen)32+(M=Ru, Fe和Ni),陰離子為鎘
3、硫T2簇合物(化合物1–3),采用單晶衍射儀分析其結(jié)構(gòu)。討論了這些化合物各種狀態(tài)下陰陽離子之間的相互作用包括了π…π堆積作用和C-H…π相互作用以及電荷轉(zhuǎn)移性質(zhì)。通過光譜實驗和理論計算表征了Ru–Phen與Cd–SPh簇組成的陰陽離子之間的電荷轉(zhuǎn)移現(xiàn)象(ACCT)。由于電荷轉(zhuǎn)移作用,使Ru(Phen)32+的熒光發(fā)射強度在加入陰離子Cd-SPh簇時發(fā)生增強的效果,并解釋了熒光增強的產(chǎn)生機理。
(2)通過溶劑熱法合成了六個陽離子
4、為功能金屬配合物[Ru(Phen/Bpy)3]2+的鎘硫C2(Cd32)簇和C1(Cd17)簇,CdQ(Q=S, Se)(化合物4–9),硫源和硒源分別為硫脲和硒脲。在較低溫度下合成0D的 C1–CdSeSRuBpy(7), C1-CdSeSRuPhen(8),和C1–CdSSRuBpy(9),而在較高的溫度合成了3D開框架結(jié)構(gòu)的大簇C2–CdSeSRuBpy(4), C2–CdSeSRuPhen(5),和 C2–CdSSRuPhen(
5、6)。,其中化合物4和5是首次得到具有殼核結(jié)構(gòu)的納米CdS/CdSe簇。熒光發(fā)射光譜研究發(fā)現(xiàn)由于[Ru(Phen/Bpy)3]2+和陰離子 CdQ簇之間的相互作用使得其熒光發(fā)射波長發(fā)生紅移和強度增強現(xiàn)象。對化合物4–9在ITO導(dǎo)電玻璃上的光電流響應(yīng)研究表明:(1)3–D C2簇產(chǎn)生的光電流比0–D C1簇大,(2)含有硒的鎘硫簇產(chǎn)生的光電流比只含有硫的鎘硫簇的大,(3)在鎘硒硫簇光電流實驗中發(fā)現(xiàn)了明顯的暗電流。
(3)用溶劑熱
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