噻吩稠聯(lián)的TTF衍生物的合成與電性質(zhì),以及三聚吲哚衍生物的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移性質(zhì).pdf

1、自上世紀(jì)70年代合成了四硫富瓦烯(Tetrathiafulvalene，簡稱TTF)，并發(fā)現(xiàn)其在有機導(dǎo)電材料上的重要應(yīng)用后，TTF及其衍生物型化合物便引起眾人的強烈興趣。由此，TTF型系列電子給體也成為有機光電材料中引人注目的一個重要分支，其應(yīng)用涵蓋了超導(dǎo)材料、有機場效應(yīng)晶體管（Organic Field Effect Transistor，簡稱OFET）等諸多領(lǐng)域。
　　 本論文的主要研究目標(biāo)是新型的TTF衍生物型電子給體，包

2、括它們的合成、結(jié)構(gòu)、電性質(zhì)等方面。TTF衍生物隨著分子內(nèi)含硫原子數(shù)的增加，其分子間的S…S作用也相應(yīng)增強，同時，由于共軛體系的變大，分子間的π-π堆積效應(yīng)亦逐步變強。本文詳細地介紹一種閉環(huán)的TTF衍生物的合成。最后，利用電化學(xué)和吸收光譜等方法研究了三聚吲哚及其系列化合物的分子內(nèi)電荷轉(zhuǎn)移情況。
　　 1.TTF衍生物的合成和表征。
　　 合成了含有七個硫原子的噻吩稠聯(lián)的化合物TDTO-TTP(5-(thieno[3，4-d

3、][1，3]dithiol-2-ylidene)-[1，3]dithiolo[4，5-d][1，3]dithiol-2-one)，并且測定了其晶體結(jié)構(gòu)。TDTO-TTP晶體的堆積方式與著名的場效應(yīng)晶體DT-TTF相同，用密度泛函方法，6-311g(d)基組，計算得到場效應(yīng)遷移率μ可達1.492 cm2V-1S-1。
　　 2.通過循環(huán)伏安和差示脈沖伏安（Differential Pulse Voltammetry，簡稱DPV）等