Ge29+離子高離化態(tài)性質(zhì)的理論研究.pdf

1、本文首先介紹了原子與分子物理學(xué)的發(fā)展概況，然后根據(jù)研究對(duì)象的特點(diǎn)，介紹了高電荷離子的制備方法和我國(guó)高電荷離子制備儀器的發(fā)展情況。
　　 本文對(duì)高電荷離子Ge29+離子的1s2np(2≤n≤9)和1s2nd(3≤n≤9)態(tài)能級(jí)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究，其中包括躍遷能、電離能、精細(xì)結(jié)構(gòu)；并且在得到各激發(fā)態(tài)能量的基礎(chǔ)上，以單通道量子虧損理論為依據(jù)，分別計(jì)算了這兩個(gè)Rydberg系列中各態(tài)的量子數(shù)虧損：并根據(jù)已算出的量子數(shù)虧損，利用半經(jīng)驗(yàn)方法實(shí)行

2、能量外推，得到了該Rydberg系列中對(duì)任意高激發(fā)態(tài)能量的理論預(yù)言公式。
　　 利用FCPC方法獲得Ge29+離子的1s2np(2≤n≤9)和1s2nd(3≤n≤9)態(tài)的波函數(shù)和躍遷能計(jì)算出長(zhǎng)度、速度、加速度三種規(guī)范下的振子強(qiáng)度，三種規(guī)范下的振子強(qiáng)度相一致，說明本文選用的波函數(shù)在整個(gè)位形空間是準(zhǔn)確可靠的.最后單通道量子虧損理論將與振子強(qiáng)度相結(jié)合，將振子強(qiáng)度外推到整個(gè)能域?qū)崿F(xiàn)了對(duì)Rydberg序列的任意高激發(fā)態(tài)能量和振子強(qiáng)度的可靠