Ge29+離子高離化態(tài)性質的理論研究.pdf

1、本文首先介紹了原子與分子物理學的發(fā)展概況，然后根據研究對象的特點，介紹了高電荷離子的制備方法和我國高電荷離子制備儀器的發(fā)展情況。
　　 本文對高電荷離子Ge29+離子的1s2np(2≤n≤9)和1s2nd(3≤n≤9)態(tài)能級結構進行了研究，其中包括躍遷能、電離能、精細結構；并且在得到各激發(fā)態(tài)能量的基礎上，以單通道量子虧損理論為依據，分別計算了這兩個Rydberg系列中各態(tài)的量子數虧損：并根據已算出的量子數虧損，利用半經驗方法實行

2、能量外推，得到了該Rydberg系列中對任意高激發(fā)態(tài)能量的理論預言公式。
　　 利用FCPC方法獲得Ge29+離子的1s2np(2≤n≤9)和1s2nd(3≤n≤9)態(tài)的波函數和躍遷能計算出長度、速度、加速度三種規(guī)范下的振子強度，三種規(guī)范下的振子強度相一致，說明本文選用的波函數在整個位形空間是準確可靠的.最后單通道量子虧損理論將與振子強度相結合，將振子強度外推到整個能域實現了對Rydberg序列的任意高激發(fā)態(tài)能量和振子強度的可靠