磁場下量子環(huán)的電子態(tài)及其輸運性質的研究.pdf

1、近年來，隨著低維半導體器件制備技術的發(fā)展，人們已成功地制備了一種新型半導體低維結構——量子環(huán)。由于這種低維結構有其獨特的物理性質和潛在的應用前景，因而引起了人們極大的研究興趣。 在以往有關量子環(huán)的理論研究中，人們通常采用偏心拋物環(huán)狀約束勢模型。由于拋物約束勢在對量子點的描述中十分成功，因此備受人們青睞。然而，采用偏心的拋物勢來描述環(huán)狀約束勢時，卻不是一個很好的近似方法。為此，我們選取二維各向同性諧振子為基展開的波函數(shù)對外加垂直磁

2、場下二維有限深圓柱形方勢阱量子點和量子環(huán)中單電子的電子態(tài)和AB環(huán)的輸運性質進行相關的理論計算和分析。 首先，我們計算并討論了磁場對量子點和量子環(huán)量子能級的影響。計算結果表明：在磁場強度取定值的情況下，量子點半徑越小，勢壘對其能級的影響越大；當量子點的半徑取確定值時，磁場強度越大，勢壘對其能級的影響也越大。在磁場強度取定值的情況下，量子環(huán)基態(tài)能出現(xiàn)在磁量子數(shù)m<0態(tài)，并且｜m｜十分依賴于磁場強度b和量子環(huán)的內半徑R<,1>；隨著磁