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1、近年來,隨著低維半導(dǎo)體器件制備技術(shù)的發(fā)展,人們已成功地制備了一種新型半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu)——量子環(huán)。由于這種低維結(jié)構(gòu)有其獨(dú)特的物理性質(zhì)和潛在的應(yīng)用前景,因而引起了人們極大的研究興趣。 在以往有關(guān)量子環(huán)的理論研究中,人們通常采用偏心拋物環(huán)狀約束勢(shì)模型。由于拋物約束勢(shì)在對(duì)量子點(diǎn)的描述中十分成功,因此備受人們青睞。然而,采用偏心的拋物勢(shì)來描述環(huán)狀約束勢(shì)時(shí),卻不是一個(gè)很好的近似方法。為此,我們選取二維各向同性諧振子為基展開的波函數(shù)對(duì)外加垂直磁
2、場(chǎng)下二維有限深圓柱形方勢(shì)阱量子點(diǎn)和量子環(huán)中單電子的電子態(tài)和AB環(huán)的輸運(yùn)性質(zhì)進(jìn)行相關(guān)的理論計(jì)算和分析。 首先,我們計(jì)算并討論了磁場(chǎng)對(duì)量子點(diǎn)和量子環(huán)量子能級(jí)的影響。計(jì)算結(jié)果表明:在磁場(chǎng)強(qiáng)度取定值的情況下,量子點(diǎn)半徑越小,勢(shì)壘對(duì)其能級(jí)的影響越大;當(dāng)量子點(diǎn)的半徑取確定值時(shí),磁場(chǎng)強(qiáng)度越大,勢(shì)壘對(duì)其能級(jí)的影響也越大。在磁場(chǎng)強(qiáng)度取定值的情況下,量子環(huán)基態(tài)能出現(xiàn)在磁量子數(shù)m<0態(tài),并且|m|十分依賴于磁場(chǎng)強(qiáng)度b和量子環(huán)的內(nèi)半徑R<,1>;隨著磁
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