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1、本文闡述了近年來國(guó)內(nèi)外在金屬/介質(zhì)納米復(fù)合結(jié)構(gòu)制備及其物性研究方面的現(xiàn)狀,評(píng)述了人們采用多孔氧化鋁(AAO)模板制備納米有序陣列復(fù)合結(jié)構(gòu)的工藝和光學(xué)特性方面的研究成果。主要內(nèi)容如下: 1.近一步優(yōu)化了制備高度有序AAO模板的制備工藝,通過調(diào)整制備AAO模板的電化學(xué)工藝參數(shù)群,可使AAO模板的結(jié)構(gòu)參數(shù)在很大范圍內(nèi)可控。 2.研究了不同電解液中制備的AAO薄膜的光致發(fā)光特性及發(fā)光機(jī)理,發(fā)現(xiàn)在硫酸和草酸電解液中制備的AAO薄膜
2、均在350~600nm范圍內(nèi)出現(xiàn)了較強(qiáng)的光致發(fā)光帶,而在磷酸電解液中制備的AAO薄膜在該范圍內(nèi)沒有出現(xiàn)明顯的光致發(fā)光帶.對(duì)其發(fā)光機(jī)理分析認(rèn)為,硫酸電解液中制備的AAO薄膜的峰位為405nm的發(fā)光源于F+中心,峰位為455nm的發(fā)光可能是由F中心引起的,也可能是由其它因素引起的.草酸電解液中制備的AAO薄膜的峰位為420nm的發(fā)光與F+中心有一定的相關(guān)性,峰位為470nm的發(fā)光主要源于與草酸根離子有關(guān)的發(fā)光基團(tuán)。 3.將Cu納米粒
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