大面積單晶石墨烯生長、轉(zhuǎn)移及表征.pdf

1、石墨烯(Graphene)是首個(gè)在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)的二維材料，因其獨(dú)特優(yōu)異的性能，迅速引起了廣泛的研究熱潮。其中石墨烯生長是最重要的研究點(diǎn)，石墨烯的大面積生長以及大尺寸單晶生長是關(guān)鍵，石墨烯的轉(zhuǎn)移是石墨烯研究的難點(diǎn)。
　　本論文采用化學(xué)氣相沉積法、拉曼光譜技術(shù)、場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)量技術(shù)，結(jié)合低壓化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(LPCVD)對(duì)生長條件進(jìn)行調(diào)控，就石墨烯的生長、石墨烯的轉(zhuǎn)移方法以及石墨烯電學(xué)表征三個(gè)方面進(jìn)行研究，取得了以下的結(jié)果：
　　石墨

2、烯的單晶生長，通過在退火階段和生長階段引入氬氣，降低了石墨烯的成核密度，增加了石墨烯單晶的尺寸，并且第一次引入氧等離子體對(duì)銅盒子進(jìn)行預(yù)處理，大大的減少了石墨烯成核密度，增大了單晶的尺寸，取得了尺寸達(dá)4 mm的石墨烯大單晶。
　　石墨烯的轉(zhuǎn)移，將聚對(duì)苯二甲酸類塑料(PET)引入作為轉(zhuǎn)移過程中的輔助框架，保證了石墨烯的完整性不受外界因素的影響，并且相較于傳統(tǒng)的轉(zhuǎn)移方法，PET輔助轉(zhuǎn)移得到的石墨烯完整性更好。
　　石墨烯的電學(xué)表征