二維半導體材料空位及應力對電子結(jié)構(gòu)的影響.pdf

1、目前二維半導體材料受到廣泛關注，過渡金屬硫化物，磷烯，砷烯等二維材料因其良好的電學、光學等性質(zhì)而被廣泛研究。
　　鑒于二維半導體材料的電子器件在實際應用領域的要求，對電子性質(zhì)的可控調(diào)制顯得越發(fā)重要.研究表明，二硫化鉬、黑磷烯、砷烯等材料的能帶結(jié)構(gòu)能通過應力來改變.同時引入空位缺陷也能對能帶結(jié)構(gòu)進行調(diào)控.本文通過第一性原理方法研究了過渡金屬硫化物，如黑磷烯，兩種砷烯(buckled-，puckered-)的結(jié)構(gòu)模型及能帶結(jié)構(gòu).進一步

2、討論了空位對buckled砷烯電子結(jié)構(gòu)的影響，以及加入雙軸應力后，二硫化鉬、黑磷烯、砷烯電子結(jié)構(gòu)的變化規(guī)律.
　　考慮幾種不同的空位對buckled砷烯的影響，發(fā)現(xiàn)無論空位位置如何，禁帶寬度明顯比無空位時的禁帶寬度要小.微小的雙軸應力并沒有改變黑磷烯的直接帶隙類型，只是使禁帶寬度的大小發(fā)生變化.兩種砷烯結(jié)構(gòu)在雙軸應力時都由間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋栋雽w，禁帶寬度也會隨應變的不同而變化，轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋稌r價帶頂和導帶底所在對稱點不同.雙