IV–VI族半導(dǎo)體二維納米材料的控制合成及性質(zhì)研究.pdf

1、IV–VI族二維半導(dǎo)體納米材料由于其獨(dú)特的形狀和尺寸依賴性及其特有的化學(xué)性質(zhì),吸引了廣泛的的關(guān)注。迄今為止,IV–VI族半導(dǎo)體的尺寸和形貌控制,自組裝合成及其相關(guān)應(yīng)用已經(jīng)做了大量的研究。IV–VI族半導(dǎo)體的二維結(jié)構(gòu)相對于其體材料而言有特殊的優(yōu)越性,使其在不同領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用,如太陽能電池、鋰離子電池、氣體傳感、光電探測器、光電化學(xué)傳感等方面以及光催化降解污染物等領(lǐng)域。本論文通過設(shè)計(jì)合適的化學(xué)反應(yīng)路線實(shí)現(xiàn) IV–VI族二維半導(dǎo)體納米材料

2、的可控合成,并研究了所制備的一些 IV–VI族半導(dǎo)體化合物的形成機(jī)理及其電化學(xué)性能。研究的主要內(nèi)容和結(jié)果如下:
　　1、以SeO2, SnCl2·2H2O為起始原料,用 poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性劑,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶劑在高壓反應(yīng)釜中溶劑熱法中制備出 SnSe2納米片和納米盤,并進(jìn)一步研究了SnSe2納米片的形成機(jī)理, SnSe2納米片和納米盤光電化學(xué)響應(yīng)和鋰離子電池

3、充放電性能表明SnSe2納米片的光電化學(xué)響應(yīng)較SnSe2納米盤具有較大的提高,且在鋰離子電池應(yīng)用方面具有較高的容量。
　　2、以 SeO2, SnCl2·2H2O為起始原料,用poly(vinyl pyrrolidone)(PVP)做表面活性劑,苯甲醇(benzyl alcohol)做溶劑,180 oC條件下在三頸燒瓶中,泠凝回流加熱制備出SnSe2納米花。研究了SnSe2納米花在不同光強(qiáng)條件下的光電化學(xué)響應(yīng),光強(qiáng)越強(qiáng)光響應(yīng)越明顯