電參數(shù)對(duì)鎂合金微弧氧化局部持續(xù)電弧燒蝕的影響.pdf

1、在鎂合金的微弧氧化處理中，電壓、頻率及占空比等電參數(shù)是發(fā)生局部持續(xù)電弧燒蝕現(xiàn)象的重要影響因素，不同的負(fù)載特性會(huì)影響電源輸出特性，發(fā)生局部持續(xù)電弧燒蝕的傾向就會(huì)不同。本課題以AZ31B鎂合金為基體材料，采用自研大功率脈沖電源的單極性脈沖輸出模式，改變脈沖頻率和占空比，對(duì)表面積不同的 A、B試樣進(jìn)行微弧氧化處理實(shí)驗(yàn)，記錄實(shí)驗(yàn)過程的電壓波形及燒蝕電壓等數(shù)據(jù)，研究不同電參數(shù)和不同負(fù)載特性對(duì)燒蝕現(xiàn)象的影響。
　　相同占空比時(shí)，頻率在100H

2、z～1000Hz區(qū)間時(shí)，在兩端的頻率時(shí)燒蝕現(xiàn)象更容易發(fā)生，越靠近兩端的燒蝕電壓越低，而中間頻率下試樣更不容易發(fā)生燒蝕現(xiàn)象。同頻率下，隨著占空比的增大，燃弧時(shí)間增加就需要更多的冷卻時(shí)間，而占空比的增大反而減小了冷卻時(shí)間，在更低的電壓下發(fā)生燒蝕現(xiàn)象。鎂合金微弧氧化不同表面積的試樣具有不同的負(fù)載電容特性，試樣的表面積越大往往負(fù)載電容特性越強(qiáng)。相同的試樣在微弧氧化的處理過程中其負(fù)載特性也會(huì)隨時(shí)發(fā)生著變化，隨著膜厚增大，負(fù)載的放電時(shí)間常數(shù)越大，發(fā)