能量參數(shù)對(duì)鋁合金微弧氧化陶瓷層形成的影響.pdf_第1頁(yè)
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1、本文借助于MAO240／750微弧氧化電源、TT260渦流測(cè)厚儀和WGG60－E4光澤度計(jì)等設(shè)備，研究了微弧氧化的起弧時(shí)間、起弧電壓與電流密度、占空比之間的關(guān)系，溫度、占空比、電壓等參數(shù)對(duì)陶瓷層附著力的影響趨勢(shì)，陶瓷層生長(zhǎng)的動(dòng)力學(xué)和電流密度、試樣面積對(duì)表面陶瓷層的光澤度的影響，利用JSM6460掃描電子顯微鏡和Oxford INCA能譜儀分析了試樣表面形貌和物質(zhì)成分，對(duì)比了起弧前后氧化不同時(shí)間試樣的形貌和元素含量。 研究結(jié)果表明

2、：鋁合金微弧氧化起弧的表面臨界條件是試樣的整個(gè)表面被覆蓋了一層AlxOy膜和能量臨界條件分別和電流密度0.2A/dm2；起弧前非晶態(tài)AlxOy氧化物在試樣表面呈點(diǎn)面方式生長(zhǎng)；起弧后，非晶態(tài)AlxOy轉(zhuǎn)化成晶態(tài)的氧化物，微弧氧化陶瓷層呈點(diǎn)線網(wǎng)面方式生長(zhǎng)。起弧時(shí)間隨著占空比的減小而縮短，起弧電壓隨面積大小成正比增加。溶液溫度、占空比和電壓對(duì)陶瓷層的附著力都有影響，而且附著力隨著溫度、占空比和電壓的上升而增大；滿足附著力要求的溫度、占空比和電

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