熒光稀土納米二氧化硅探針的制備及應(yīng)用.pdf_第1頁(yè)
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1、近年來(lái),隨著生命科學(xué)的不斷發(fā)展,生物化學(xué)分析的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛。由于熒光光譜的靈敏度高、選擇性好,熒光探針技術(shù)已經(jīng)在蛋白質(zhì)、核酸、細(xì)胞檢測(cè)及免疫分析等方面發(fā)揮了重要作用,其中各種熒光稀土納米顆粒探針則是熒光分析的有力工具。
   本文采用反相微乳液法制備了摻雜型熒光(Eu、Tb)納米二氧化硅顆粒,及共價(jià)型熒光納米二氧化硅BHHCT-Eu-SiO2,通過(guò)X-射線衍射、紅外光譜、熒光光譜等手段對(duì)制備物的結(jié)構(gòu)、形態(tài)、性質(zhì)進(jìn)行了表征。并

2、將BHHCT-Eu-SiO2與氯霉素抗體相連作為熒光探針應(yīng)用于氯霉素的免疫層析試紙條分析。
   本文所制備的摻雜型熒光(Eu、Tb)納米二氧化硅顆粒均為非晶態(tài)或極小晶體,EDTA中的羰基與Eu3+(Tb3+)以雙齒配位的形式配位,當(dāng)摻雜元素為Eu時(shí),熒光光譜分析表明,在396nm處沒(méi)有出現(xiàn)Eu3+的本征激發(fā)峰,而在310nm處出現(xiàn)一較強(qiáng)激發(fā)峰,表明配合物的激發(fā)光譜由配體EDTA吸收能量引起,并將能量傳遞給Eu3+使之發(fā)出特征熒

3、光,在310m光激發(fā)下,發(fā)射波長(zhǎng)位于615nm處,對(duì)應(yīng)于Eu3+離子電偶極躍遷5D0→7F2,發(fā)射光譜中沒(méi)有出現(xiàn)磁偶極躍遷5D0→7F1表明Eu3+的配合物中稀土離子處于不對(duì)稱中心;當(dāng)摻雜元素為Tb時(shí),熒光光譜分析表明,在277-396nm之間有一寬而強(qiáng)的Tb3+離子的激發(fā)譜帶,240nm處的最強(qiáng)激發(fā)峰是由配體EDTA吸收能量,并將能量傳遞給Tb3+使之發(fā)出特征熒光所引起,在240nm光激發(fā)下,發(fā)射波長(zhǎng)位于486nm(5D4→7F6)、

4、544nm(5D4→7F5)、582nm(5D4→7F4)、620nm(5D4→7F3)。摻雜的EDTA-Eu(Tb)與SiO2摩爾比在1∶120-1∶15之間時(shí),隨著EDTA-Eu(Tb)的摻雜量的增加熒光粒子在各發(fā)射波長(zhǎng)下的最大發(fā)射熒光強(qiáng)度均成指數(shù)函數(shù)增長(zhǎng)。
   熒光粒子BHHCT-Eu-SiO2,激發(fā)峰分別位于231nm、274nm、318nm、340nm處,其中231、274和340nm處的激發(fā)峰由配體的n(π)→π*

5、躍遷引起,最大激發(fā)峰318nm是由配體吸收能量,通過(guò)分子間能量傳遞給Eu3+,使之發(fā)出熒光所致,發(fā)射光譜中最強(qiáng)發(fā)射峰位于615nm(5D0→7F2)處,另外兩個(gè)弱發(fā)射峰位于592nm(5D0→7F1)和649nm(5D0→7F3)處,615nm處發(fā)射峰強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于592nm處發(fā)射峰,說(shuō)明熒光探針中Eu3+處于非反演中心。BHHCT-Eu-SiO2-Ab作為熒光探針進(jìn)行免疫層析試紙條法檢測(cè)氯霉素時(shí),對(duì)氯霉素檢測(cè)限為10ng/mL,氯霉素琥

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