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文檔簡介
1、WO3半導體材料具有較窄的禁帶寬度和好的光穩(wěn)定性,在光電轉換領域已有大量文獻報道。但由于其價帶能級位置比水的氧化電位低很多,因此對可見光利用率不高。此外,光生載流子的復合幾率大,導致其光催化效率不高。這些因素限制了它在光解水領域的實際應用。本文采用溶膠-凝膠法制備WO3和BiVO4薄膜、原位反應法制備NiWO4,研究制備工藝對WO3及其復合薄膜的結構及光吸收性能的影響。結果如下:
1)當AMT和PEI的比例為1:1,基底為FT
2、O導電玻璃,550℃煅燒2h時, WO3薄膜的結晶度最好,由直徑為60nm左右的晶粒組成,呈疏松多孔的表面形貌,光學禁帶寬度約為2.75eV。
2) WO3/NiWO4復合薄膜的表面形貌和性能與前驅液即硝酸鎳酒精溶液的濃度有關,NiWO4以納米顆粒的形式附著在WO3晶粒表面,并滲入多孔的WO3薄膜中;在350~420nm可見光波段,隨著NiWO4含量的增加,吸收度呈下降趨勢。
3)在WO3基底上,BiVO4薄膜由直徑
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