聚噻吩及聚苯胺-吡咯共聚膜的電化學(xué)制備及性能研究.pdf

1、導(dǎo)電聚合物在對(duì)金屬的防腐方面有不可取代的位置。采用電化學(xué)法合成并監(jiān)測(cè)導(dǎo)電聚合物的抗腐蝕性能，已經(jīng)成為一種十分必要的手段。聚噻吩類(lèi)物質(zhì)在導(dǎo)電聚合物領(lǐng)域占有舉足輕重的位置，它們具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的可塑性，是比較理想的抗腐蝕材料。
　　本文采用電化學(xué)恒電位法在三氟化硼乙醚(BFEE)溶液中，以不銹鋼片為基底合成了聚噻吩(PTh)薄膜。通過(guò)對(duì)實(shí)驗(yàn)影響因素（反應(yīng)溫度、單體濃度、聚合時(shí)間和氧化電位大小）的探索，優(yōu)化合成PTh的條件:2

2、0℃的恒溫條件下，噻吩單體濃度為0.3mol/L，聚合時(shí)間為l000s，聚合電位為1.3V。采用傅立寸紅外光譜(FT-IR)、拉曼光譜(Raman)、掃描電子顯微鏡(SEM)、熱重分析(TGA)等測(cè)試技術(shù)對(duì)產(chǎn)物的結(jié)構(gòu)、形貌、熱穩(wěn)定性等進(jìn)行了表征:結(jié)果表明，制備的PTh膜形貌均勻，具有良好的熱穩(wěn)定性;通過(guò)塔菲爾(Tafel)極化曲線檢測(cè)表明:電沉積聚噻吩薄膜的不銹鋼片(PTh/SS)抗腐蝕電位相對(duì)于裸不銹鋼片(SS)正移約220mV,腐蝕

3、電流密度下降了2個(gè)數(shù)量級(jí)，具有良好的抗腐蝕性能;進(jìn)一步延長(zhǎng)PTh/SS在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3.5％NaC1溶液中的浸泡時(shí)間，通過(guò)交流阻抗(EIS)測(cè)試表明PTh/SS在浸泡814h后仍具有較強(qiáng)的抗腐蝕性能。
　　本文在酸性溶液體系中，通過(guò)循環(huán)伏安(CV)法制備了不同摩爾比的聚苯胺/吡咯(PAN/Py)共聚膜。采用FT-IR、EIS、SEM，以及CV等表征手段對(duì)聚苯胺/吡咯共聚膜進(jìn)行了測(cè)試分析。結(jié)果表明:當(dāng)苯胺與吡咯的摩爾比為1∶1時(shí)，共聚