納米二氧化硅修飾碳糊電極的制備及其在農(nóng)藥分析中的應(yīng)用.pdf

1、隨著工業(yè)技術(shù)的迅速發(fā)展,環(huán)境污染問(wèn)題越來(lái)越嚴(yán)重,農(nóng)藥作為環(huán)境污染物已成為一個(gè)全球性的重大問(wèn)題,為此污染的治理問(wèn)題就顯得越發(fā)的重要,然而能夠?qū)崿F(xiàn)快速、準(zhǔn)確、方便的檢測(cè)是實(shí)現(xiàn)治理的前提。電化學(xué)方法作為一種綠色化學(xué)技術(shù),逐漸被用于農(nóng)藥的分析檢測(cè)領(lǐng)域。本論文以納米二氧化硅修飾碳糊電極(nano-SiO2/CPE)為工作電極,鉑絲電極為對(duì)電極,飽和甘汞電極(SCE)為參比電極,研究了幾種農(nóng)藥的電化學(xué)行為及其檢測(cè)方法,取得了以下研究成果：
　

2、　(1)在pH 3.00的磷酸鹽緩沖溶液中,利用nano-SiO2/CPE,系統(tǒng)研究了該修飾電極上殺草強(qiáng)的電化學(xué)行為。結(jié)果表明：殺草強(qiáng)在pH 3.00的磷酸鹽緩沖溶液中,在+0.986V左右出現(xiàn)一個(gè)靈敏的氧化峰。該氧化峰電流與殺草強(qiáng)濃度在5 .00×10-6mol/L-1.00×10-3 mol/L之間呈線性關(guān)系,線性回歸方程為：ip(μA)=1.2394+1.95×104c(mol/L),回歸系數(shù)為：0.9989,檢出限達(dá)2.0×10

3、-7mol/L。殺草強(qiáng)在nano-SiO2/CPE上的氧化過(guò)程受擴(kuò)散控制；由LAVIRON公式計(jì)算參與電極反應(yīng)的電子數(shù)為1。由峰電位Ep和pH的線性關(guān)系求得參與反應(yīng)的質(zhì)子數(shù)和電子數(shù)相等。殺草強(qiáng)的氧化過(guò)程是1電子1質(zhì)子過(guò)程。
　　(2)在pH 11.20的B-R緩沖溶液中,利用nano-SiO2/CPE,系統(tǒng)研究了該修飾電極上氟蟲(chóng)腈的電化學(xué)行為。結(jié)果表明：在陽(yáng)極掃描過(guò)程中氟蟲(chóng)腈在+0.742V出現(xiàn)一個(gè)靈敏的氧化峰。該氧化峰電流(ip

4、)與氟蟲(chóng)腈濃度在1.00×10-8 mol/L-2.00×10-4 mol/L范圍內(nèi)呈線性關(guān)系,線性回歸方程為：ip(μA)=0.5409+9.9725×104c(mol/L),回歸系數(shù)為：0.9968,檢出限達(dá)1.3×10-9mol/L。氟蟲(chóng)腈在nano-SiO2/CPE上的氧化過(guò)程受吸附控制；由峰電位Ep與溶液pH的線性關(guān)系求出參與反應(yīng)的質(zhì)子數(shù)和電子數(shù)相等,由LAVIRON公式求解出參與電極反應(yīng)的電子數(shù)為2。所以氟蟲(chóng)腈的氧化過(guò)程為2

5、電子2質(zhì)子過(guò)程。
　　(3)在pH 3.00的磷酸鹽緩沖溶液中,利用nano-SiO2/CPE,系統(tǒng)研究了該修飾電極上嘧霉胺的電化學(xué)行為。結(jié)果表明：嘧霉胺在+1.032V左右出現(xiàn)一個(gè)靈敏的氧化峰。該氧化峰電流與嘧霉胺濃度在7.00×10-7mol/L-1.00×10-4 mol/L之間呈良好的線性關(guān)系,線性回歸方程為:ip(μA)=0.5723+1.4219×105c(mol/L),回歸系數(shù)為：0.9959,檢出限達(dá)1.0×10-