三組份CdSSe-ZnS（核-殼）量子點(diǎn)光譜及其UV膠本底摻雜光纖的傳光特性.pdf

1、半導(dǎo)體納米晶體由于三維量子受限，表現(xiàn)出了與其所對(duì)應(yīng)的體材料完全不同的光學(xué)和電學(xué)性能，在光電子和非線性器件方面具有廣泛的應(yīng)用前景。量子點(diǎn)與稀土離子相比，具有窄帶發(fā)射譜線、高量子效率、更強(qiáng)的發(fā)射強(qiáng)度等優(yōu)點(diǎn)。在傳統(tǒng)的量子點(diǎn)中，通過調(diào)控量子點(diǎn)尺寸，可以改變量子點(diǎn)吸收和光致熒光輻射(PL)峰的波長(zhǎng)以及光譜的半峰全寬(FWHM)。所以在光纖中摻雜不同尺寸的量子點(diǎn)，有可能實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)可調(diào)諧激光。
　　本文研究了三元合金量子點(diǎn)，這種新的三元合金量子點(diǎn)

2、CdSSe，可以通過改變CdSSe硫族元素的組成計(jì)量，得到不同的PL波長(zhǎng)，協(xié)調(diào)量子點(diǎn)的吸收和發(fā)射特性。通過對(duì)它的組成成分連續(xù)變化，可以使吸收覆蓋整個(gè)可見光波段，從而提高光學(xué)器件的性能，這帶來了很大的應(yīng)用前景。
　　本文測(cè)量了不同比例系數(shù)x的三組份CdSxSe1-x/ZnS量子點(diǎn)的吸收譜和PL譜，確定了量子點(diǎn)的吸收系數(shù)、吸收截面和發(fā)射截面。采用UV固化膠，制備了摻雜濃度為0.1～5mg/mL、1～20cm長(zhǎng)度的固態(tài)纖芯CdSSe/Z

3、nS量子點(diǎn)光纖(QDF)。測(cè)量了不同濃度QDF中473nm泵浦功率的吸收衰減速率。測(cè)量了PL光譜強(qiáng)度隨光纖長(zhǎng)度和量子點(diǎn)濃度的變化。
　　實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:量子點(diǎn)吸收截面隨粒徑的增大而增大，隨x的增大而減小。在量子點(diǎn)半徑為4.5～2.29nm、x=0.4～0.9范圍內(nèi)，吸收截面為(2～1.02)×10-16cm2。核半徑為4.5nm的CdSSe/ZnS量子點(diǎn)UV膠摻雜光纖，在473nm波長(zhǎng)激光激勵(lì)下，吸收衰減速率和吸收截面弱關(guān)聯(lián)與摻雜濃