Ⅱ-Ⅵ族核殼結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體量子點(diǎn)的制備及其發(fā)光特性的物理機(jī)制.pdf

1、本文的研究內(nèi)容分為四個(gè)部分：第一部分：膠體化學(xué)法合成CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)；第二部分：這種膠體量子點(diǎn)的微觀結(jié)構(gòu)研究；第三部分：該量子點(diǎn)的發(fā)光動(dòng)力學(xué)性質(zhì)研究；第四部分：該量子點(diǎn)的電致發(fā)光研究。 首先，采用膠體法合成了CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)，CdS殼層從單分子層到四個(gè)分子層。TEM圖像表明合成的量子點(diǎn)具有均一的顆粒分布，良好的單分散性以及穩(wěn)定的光學(xué)性質(zhì)，這有利于探討發(fā)光性質(zhì)與其微觀結(jié)構(gòu)的關(guān)系。XRD譜表明相比于C

2、dSe納米晶體的衍射峰位，核殼結(jié)構(gòu)CdSe/CdS納米晶體的衍射峰位幾乎沒有什么變化，只是隨著包層厚度的增加，稍向高角度移動(dòng)，這就證實(shí)了核殼結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，隨著包層厚度的增加，CdS殼施加于CdSe核的應(yīng)力慢慢變大，Raman譜也說明了這一點(diǎn)。 然后，測量了室溫下CdSe/CdS核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的吸收譜、發(fā)光譜以及光致發(fā)光壽命。光譜測量結(jié)果表明，隨著包層厚度的增加，吸收峰和發(fā)光峰都發(fā)生了紅移，同時(shí)光致發(fā)光量子產(chǎn)率慢慢增大，光致發(fā)