電子溫度改變對(duì)反應(yīng)粒子及成膜的影響.pdf

1、在PCVD成膜過程中,電子溫度是一個(gè)重要的參數(shù),它對(duì)于在成膜中起關(guān)鍵作用的反應(yīng)粒子和基因的產(chǎn)生和變化具體決定性的影響.如果可以通過改變電子溫度來對(duì)生長(zhǎng)某種類型膜的反應(yīng)粒子進(jìn)行優(yōu)化選擇,進(jìn)而可以對(duì)所合成薄膜的各種性質(zhì)來進(jìn)行控制,這在等離子體的工業(yè)應(yīng)用中將具有廣闊的前景.在前人的工作中,研究的焦點(diǎn)主要集中在控制電子溫度的有效方法以及電子溫度改變后對(duì)電子溫度、密度等等離子體參數(shù)變化的診斷上,而對(duì)于電子溫度改變對(duì)等離子體中反應(yīng)粒子和基團(tuán)的影響,

2、以及由此產(chǎn)生的所合成膜的影響的研究,工作才剛剛開始.該論文主要在該實(shí)驗(yàn)室自行研制的電子的助進(jìn)化學(xué)氣相沉積金剛石膜裝置(EACVD)上,對(duì)于新的C<,2>H<,2>+H<,2>放電體系,采用摻入惰性氣體Ar氣的方法來改變等離子體中的電子溫度(降低),進(jìn)而研究不同的Ar比例(對(duì)應(yīng)于不同的電子溫度)對(duì)于等離子中反應(yīng)粒子和基團(tuán)的影響,以及由反應(yīng)粒子和基團(tuán)變化所導(dǎo)致的對(duì)所成薄膜屬性的影響.我們使用了靜電雙探針、質(zhì)譜和可見光譜對(duì)實(shí)驗(yàn)中的等離子體參數(shù)

3、以及基底附近粒子和基團(tuán)的變化作了研究.結(jié)果指出,隨著電子溫度的降低,等離子體中一個(gè)碳成分CH<,X>隨電子溫度降低而減少,而二個(gè)碳成分C<,2>H<,X>卻呈上升趨勢(shì),更加引人注目的是三個(gè)碳成分C<,3>含量的急劇增加.我們使用了Raman光譜、X射線衍射以及掃描電子顯微鏡等手段對(duì)薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了研究.結(jié)果指出,在C<,2>H<,2>+H<,2>放電體系中,電子溫度是個(gè)很重要的過程參數(shù),它直接影響了等離子體中反應(yīng)粒子和基團(tuán),并