已閱讀1頁，還剩46頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、分類號：鹽!!秘密：至壘魚UDC：‘陽編號：功II叫f0ZnSe的低維生長與光學(xué)特性LOWDIMENSIONALGROWTHoFZnSeANDOPTICALCHAItACTERlSTIC學(xué)位授予單位及代碼：籃墨理王盤芏f!Q!鰻2學(xué)科專業(yè)名稱及代碼；越魁物顯董出生(Q8Q墊!j研究方向：盤皇功薤晶佳撾掛申請學(xué)位級別：殛土指導(dǎo)教師：塞攫教授研究生：奎曉據(jù)論文起止時(shí)同：2QlQ：8=2Q1l。i2摘要ZnSe屬直接帶隙IIV1族的半導(dǎo)體晶體
2、，具有紅外波段透射率高、禁帶寬度大等諸多優(yōu)良的光學(xué)特性在紅外窗口材料、疊層多結(jié)太陽能電池和電致發(fā)光器件等方面有著廣泛的應(yīng)用。目前ZnSe薄膜材料的應(yīng)用要遠(yuǎn)遠(yuǎn)廣泛于其他形式的ZnSe材料。擁有著廣闊的發(fā)展前景，在光電器件方面?zhèn)涫荜P(guān)注。本文采用電化學(xué)沉積方法從ZnS04和Se02的電解溶液中在ITO導(dǎo)電玻璃基底上生長制各出Zllse薄膜，井研究了電沉積工藝參數(shù)，包括皿0巾(s帕3。)濃度比、電流密度、溫度、PH值對ZnSe薄膜晶體生長的影響
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- ZnSe晶體的氣相生長與光電特性研究.pdf
- Si襯底上ZnSe，ZnTe薄膜及其量子阱的LP-MOCVD生長和光學(xué)特性.pdf
- ZnCdSe-ZnSe量子阱二階非線性光學(xué)特性的研究.pdf
- ZnSe薄膜生長及工藝優(yōu)化.pdf
- Tm-YAP、ZnSe及Cr2+-ZnSe激光晶體的生長與性能研究.pdf
- Si襯底上低壓MOCVD生長ZnS，ZnSe薄膜和ZnSe量子點(diǎn).pdf
- ZnO薄膜的異質(zhì)生長及其光學(xué)特性研究.pdf
- InAs-GaAsSb量子點(diǎn)外延生長與光學(xué)特性研究.pdf
- ZnTe基和ZnSe基復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)性質(zhì).pdf
- MBE生長GaAs-GaN薄膜結(jié)構(gòu)與光學(xué)特性研究.pdf
- 堿金屬鉭鈮酸鹽薄膜的可控生長與光學(xué)特性研究.pdf
- 低維MoS2的制備及光學(xué)特性研究.pdf
- 低維氧化鋅納米材料光學(xué)特性的研究.pdf
- 溴酸鈉晶體的生長及光學(xué)特性研究【文獻(xiàn)綜述】
- 溴酸鈉晶體的生長及光學(xué)特性研究【開題報(bào)告】
- 31898.稀土摻雜氟化釔鋇激光晶體的生長與光學(xué)特性研究
- 襯底溫度對低功率制備ZnO薄膜光學(xué)特性的影響.pdf
- CdS納米結(jié)構(gòu)的可控制備、生長及光學(xué)特性研究.pdf
- ZnSe-Cu量子點(diǎn)的合成、表面修飾及其光學(xué)性能研究.pdf
- 多孔氧化鋁和低維納米硅材料的光學(xué)特性研究.pdf
評論
0/150
提交評論