ZnSe晶體的氣相生長與光電特性研究.pdf

1、該文工作重點(diǎn)是探索制備工藝簡單、成本低、操作簡便的ZnSe單晶體生長新方法,獲得化學(xué)計(jì)量比接近1:1的、具高結(jié)晶質(zhì)量的ZnSe體單晶,并在此基礎(chǔ)上對(duì)生長的ZnSe單晶的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、光學(xué)和電學(xué)特性進(jìn)行進(jìn)一步研究.作為重要的相關(guān)工作,該文也對(duì)ZnSe多晶的合成機(jī)理及ZnSe納米材料的合成作了研究.該文重點(diǎn)研究了用兩種不同的均使用Zn(NH<,4>)<,3>Cl<,5>作為輸運(yùn)劑的CVT生長ZnSe體單晶的方法.一種方法是以ZnSe多晶為原料,

2、成功生長了尺寸為φ9×25mm,端面由{111}、{100}組成的高質(zhì)量ZnSe體單晶的技術(shù).另一方法是以Zn和Se單質(zhì)為原料,氣相一步直接生長出ZnSe體單晶的技術(shù).兩種方法生長ZnSe體單晶的結(jié)構(gòu)和形貌研究表明,在輸運(yùn)劑Zn(NH<,4>)<,3>Cl<,5>的存在和該文實(shí)驗(yàn)條件下,CVT氣相生長ZnSe的機(jī)理主要為二維成核與生長機(jī)理,(111)面為主要生長晶面,該結(jié)果為立方晶體的奇異面生長理論提供了重要的實(shí)驗(yàn)證據(jù).在800nm飛秒

3、激光脈沖作用下,研究了ZnSe單晶的超快非線性光學(xué)性能.結(jié)果表明,ZnSe晶體中激發(fā)態(tài)能級(jí)的載流子壽命為57.66fs,ZnSe半導(dǎo)體具有超快時(shí)間響應(yīng)特性.實(shí)驗(yàn)測定了In電極和Al電極接觸下的ZnSe單晶的電學(xué)特征.結(jié)果In電極的歐姆接觸和電學(xué)測試結(jié)果均要由優(yōu)于Al電極.閃鋅礦一維ZnSe納米晶可在三乙胺,二乙胺,三乙醇胺溶液劑中由改進(jìn)溶劑熱法合成.并用過渡態(tài)配合物的概念解釋了一維ZnSe納米晶的形成機(jī)理.該納米晶表現(xiàn)出了吸收限藍(lán)移和熱