ZnSe晶體的氣相生長與光電特性研究.pdf

1、該文工作重點是探索制備工藝簡單、成本低、操作簡便的ZnSe單晶體生長新方法,獲得化學計量比接近1:1的、具高結晶質(zhì)量的ZnSe體單晶,并在此基礎上對生長的ZnSe單晶的結構特點、光學和電學特性進行進一步研究.作為重要的相關工作,該文也對ZnSe多晶的合成機理及ZnSe納米材料的合成作了研究.該文重點研究了用兩種不同的均使用Zn(NH<,4>)<,3>Cl<,5>作為輸運劑的CVT生長ZnSe體單晶的方法.一種方法是以ZnSe多晶為原料,

2、成功生長了尺寸為φ9×25mm,端面由{111}、{100}組成的高質(zhì)量ZnSe體單晶的技術.另一方法是以Zn和Se單質(zhì)為原料,氣相一步直接生長出ZnSe體單晶的技術.兩種方法生長ZnSe體單晶的結構和形貌研究表明,在輸運劑Zn(NH<,4>)<,3>Cl<,5>的存在和該文實驗條件下,CVT氣相生長ZnSe的機理主要為二維成核與生長機理,(111)面為主要生長晶面,該結果為立方晶體的奇異面生長理論提供了重要的實驗證據(jù).在800nm飛秒

3、激光脈沖作用下,研究了ZnSe單晶的超快非線性光學性能.結果表明,ZnSe晶體中激發(fā)態(tài)能級的載流子壽命為57.66fs,ZnSe半導體具有超快時間響應特性.實驗測定了In電極和Al電極接觸下的ZnSe單晶的電學特征.結果In電極的歐姆接觸和電學測試結果均要由優(yōu)于Al電極.閃鋅礦一維ZnSe納米晶可在三乙胺,二乙胺,三乙醇胺溶液劑中由改進溶劑熱法合成.并用過渡態(tài)配合物的概念解釋了一維ZnSe納米晶的形成機理.該納米晶表現(xiàn)出了吸收限藍移和熱